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龍圖騰網恭喜同濟大學申請的專利一種氧化鉿復合薄膜及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116288154B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310306522.3，技術領域涉及：C23C14/08；該發明授權一種氧化鉿復合薄膜及其制備方法是由焦宏飛;鈕信尚;汲小川;張錦龍;馬彬;程鑫彬;王占山設計研發完成，并于2023-03-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種氧化鉿復合薄膜及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及薄膜光學技術領域，尤其是涉及一種氧化鉿復合薄膜及其制備方法。本發明旨在解決離子束輔助沉積工藝制備的氧化鉿薄膜因易結晶、表面空洞缺陷密集而導致的粗糙度較大的問題，以及離子束轟擊引起的薄膜吸收較大的問題。本發明在傳統制備的純氧化鉿薄膜制備中插入薄層的氧化硅薄膜，將厚層氧化鉿拆分隔離為數層納米薄層，一方面可以有效抑制氧化鉿薄膜的結晶，減少薄膜表面的孔洞缺陷，從而降低薄膜粗糙度；另一方面，部分含量氧化硅的引入也會降低氧化鉿薄膜的吸收。與現有技術相比，本發明可以有效降低離子束輔助沉積工藝制備氧化鉿薄膜表面粗糙度和吸收，同時制作成本低，易于推廣，在超高精度激光測量領域具有廣泛的應用前景。

本發明授權一種氧化鉿復合薄膜及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種氧化鉿復合薄膜，其特征在于，所述氧化鉿復合薄膜由若干層HfO2納米膜和若干層SiO2納米膜組成，相鄰HfO2納米膜之間設置有SiO2納米膜，氧化鉿復合薄膜的厚度為d；其中，規定數值B＝d25，數值N＝[d25]；若N＜B≤N+0.8，則鍍膜膜系為：S|80nHλH20nLλL^N4nHd-25NλH|A,若N+0.8＜B≤N+1，則鍍膜膜系為：S|80nHλH20nLλL^N80nHλH4nLd-25N-20λL|A；其中，S表示基底，A表示空氣，H表示光學厚度為λ4的HfO2納米膜，L表示光學厚度為λ4的SiO2納米膜；λ為各膜層所處膜系的中心波長；氧化鉿復合薄膜的制備包括以下步驟：利用離子束輔助沉積工藝在基板上依次沉積HfO2納米膜和SiO2納米膜；HfO2納米膜的厚度低于20nm，SiO2納米膜的厚度低于5nm；所述氧化鉿復合薄膜表面粗糙度為0.127nm，無衍射峰，薄膜非晶，弱吸收為9ppm；其中，所述基板為表面粗糙度小于0.3nm的超拋石英基板；離子束輔助沉積工藝過程中，沉積HfO2納米膜時，氧分壓為1.8×10-2Pa；沉積SiO2納米膜時，氧分壓為1.5×10-2Pa；離子束輔助沉積工藝過程中，基板溫度為100-150℃；離子束輔助沉積工藝過程中，蒸發速率為1nms；離子束輔助沉積工藝過程中，離子源電壓為900V；離子束輔助沉積工藝過程中，離子源電流為1000mA。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人同濟大學，其通訊地址為：200092 上海市楊浦區四平路1239號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。