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龍圖騰網恭喜杭州電子科技大學申請的專利一種基于寬帶耦合器結構的寬帶高精度180°移相器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116130916B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310305567.9，技術領域涉及：H01P5/12；該發明授權一種基于寬帶耦合器結構的寬帶高精度180°移相器是由羅將;張洪運;劉軍設計研發完成，并于2023-03-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于寬帶耦合器結構的寬帶高精度180°移相器在說明書摘要公布了：本發明涉及一種基于寬帶耦合器結構的寬帶高精度180°移相器，針對高低通切換結構的移相器單元在毫米波頻段移相精度較差，實現帶寬較小，同時移相精度受工藝偏差影響較大問題，本發明采用一種毫米波寬帶耦合器結構取代傳統高低通切換結構中的高通網絡結構，大大提升了移相器的移相精度和移相帶寬，同時相位偏差受工藝變化影響較小，增加了移相器的電路魯棒性能，提升了移相器的整體性能。該移相器單元不同于以往的高低通切換結構中電感電容型高通網絡結構，充分利用了金屬層之間的電磁耦合效應和寬金屬層的穩定性，設計原理清晰，結構簡單，成本低廉。

本發明授權一種基于寬帶耦合器結構的寬帶高精度180°移相器在權利要求書中公布了：1.一種基于寬帶耦合器結構的寬帶高精度180°移相器，包括高階高通濾波網絡、三階低通濾波網絡、多個開關型晶體管，開關型晶體管串聯在寬帶耦合器與三階低通濾波網絡結構之間；其特征在于：所述高階高通濾波網絡采用毫米波寬帶耦合器；所述毫米波寬帶耦合器為金屬層交叉耦合結構，采用多層排布結構，從上到下依次包括第一金屬層6、第二金屬層8、第三金屬層10、第四金屬層12、第五金屬層14、第六金屬層16、第七金屬層18；相鄰金屬層間通過金屬過孔連接，且第一金屬層6、第二金屬層8間存在距離；所述第一金屬層6采用中部刻蝕有第一耦合縫隙5-1，以形成兩段相互耦合的金屬線，具體包括第一金屬線1、第二金屬線2；所述第一金屬線1的一端朝向所述第一耦合縫隙5-1，另一端作為輸入輸出端口；所述第二金屬線2的一端朝向所述第一耦合縫隙5-1，另一端作為輸入輸出端口；所述第一金屬線1包括依次串聯的第一水平線1-1、第一豎直線1-2、第二水平線1-3、第二豎直線1-4、第三水平線1-5；第二金屬線2包括依次串聯的第四水平線2-1、第三豎直線2-2、第五水平線2-3、第四豎直線2-4、第六水平線2-5；所述第一水平線1-1、第一豎直線1-2、第二水平線1-3、第二豎直線1-4、第三水平線1-5分別與所述第四水平線2-1、第三豎直線2-2、第五水平線2-3、第四豎直線2-4、第六水平線2-5軸對稱設置；所述第二金屬層8采用中部刻蝕有第二耦合縫隙5-2，以形成兩段相互耦合的金屬線，具體包括第三金屬線3、第四金屬線4；所述第三金屬線3的一端朝向所述第二耦合縫隙5-2，另一端作為接地端口；所述第四金屬線4的一端朝向所述第二耦合縫隙5-2，另一端作為接地端口；所述第三金屬線3包括依次串聯的第七水平線3-1、第五豎直線3-2、第八水平線3-3、第六豎直線3-4；所述第四金屬線4包括依次串聯的第九水平線4-1、第七豎直線4-2、第十水平線4-3、第八豎直線4-4；所述第七水平線3-1、第五豎直線3-2、第八水平線3-3、第六豎直線3-4分別與所述第九水平線4-1、第七豎直線4-2、第十水平線4-3、第八豎直線4-4軸對稱設置；所述第一水平線1-1、第一豎直線1-2、第二水平線1-3、第二豎直線1-4落在所述第二金屬層8上的投影分別位于所述第七水平線3-1、第五豎直線3-2、第八水平線3-3、第六豎直線3-4上；所述第四水平線2-1、第三豎直線2-2、第五水平線2-3、第四豎直線2-4落在所述第二金屬層8上的投影分別位于所述第九水平線4-1、第七豎直線4-2、第十水平線4-3、第八豎直線4-4上；所述第一金屬線1和第三金屬線3通過第一金屬過孔7連接，構成第一個感性聯合金屬層；第二金屬線2和第四金屬線4通過第一金屬過孔7連接，構成第二個感性聯合金屬層；兩個聯合感性金屬層之間產生感性耦合，等效為變壓器；所述第一金屬線1、第二金屬線2、第三金屬線3、第四金屬線4各自等效為電感，第一金屬層6與第二金屬層8之間存在顯著的容性耦合，引入等效的耦合電容；第三金屬層10、第四金屬層12、第五金屬層14、第六金屬層16位于所述第一金屬線1、第二金屬線2的接地端口下方；所述第七金屬層18作為接地金屬層，采用中間挖空的結構，挖空部分邊緣與所述寬帶耦合器第一金屬層6和第二金屬層8邊緣之間存在間距，第七金屬層18底面與GND相連；所述多個開關型晶體管包括八個開關型晶體管Q1-Q8；開關型晶體管Q1-Q4串聯在寬帶耦合器與三階低通濾波網絡之間,開關型晶體管Q5-Q6分別在寬帶耦合器與串聯開關型晶體管Q1-Q2之間并聯連接，開關型晶體管Q7-Q8分別在三階低通濾波網絡與串聯開關型晶體管Q3-Q4之間并聯連接；VC為控制電壓，通過接高電平和低電平可以使移相器在移相態和參考態兩種相位狀態之間轉換。

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