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恭喜電子科技大學周春華獲國家專利權

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龍圖騰網恭喜電子科技大學申請的專利一種具有嵌入溫度監測單元的GaN器件的過溫保護電路獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN116316450B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202310315607.8,技術領域涉及:H02H7/20;該發明授權一種具有嵌入溫度監測單元的GaN器件的過溫保護電路是由周春華;李明哲;周琦;李競研;楊文星;羅華;謝靜宇;張波設計研發完成,并于2023-03-28向國家知識產權局提交的專利申請。

一種具有嵌入溫度監測單元的GaN器件的過溫保護電路在說明書摘要公布了:本發明屬于GaN功率電子技術領域,具體涉及一種具有嵌入溫度監測單元的GaN器件的過溫保護電路。本發明是基于內部嵌入分布式溫度監測單元的GaN功率器件作過溫保護設計,所以從結構上區別于其他電路,無需專門圍繞GaN功率器件設計結溫監測支路,在設計結構上更簡便。其次,由于內部的溫度監測單元直接集成在GaN器件熱源熱點漂移區柵極漏側附近,因而溫度監測單元直接體現熱點的溫度信息,相對比在GaN器件外部設計溫度監測與保護電路,該設計電路溫度監測準確度更高。同時,單片集成電路能夠減小電路中互聯引起的寄生效應,發揮GaN器件高頻高速性能。

本發明授權一種具有嵌入溫度監測單元的GaN器件的過溫保護電路在權利要求書中公布了:1.一種具有嵌入溫度監測單元的GaN器件的過溫保護電路,其特征在于,包括嵌入溫度監測單元的GaN功率器件、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第一晶體管、比較器、第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3和與門電路;第一電阻R1的一端接工作電壓,第一電阻R1的另一端同時與GaN功率器件內部嵌入的溫度監測單元的一個金屬電極和比較器路的正向輸入端連接,溫度監測單元的另一個金屬電極接地;第二電阻R2的一端與高電平VDD連接,第二電阻R2的另一端同時與第三電阻R3的一端和比較器的反向輸入端連接,第三電阻R3的另一端同時與第四電阻R4的一端和第一晶體管的漏極連接,第四電阻R4的另一端和第一晶體管的源極接地;比較器的輸出端與第一反相器INV1的輸入端連接,第一反相器INV1的輸出端與第二反相器INV2的輸入端連接,第二反相器INV2的輸出端為過溫保護電路的輸出端;第三反相器INV3的輸入端和第一晶體管E1的柵極接過溫保護電路的輸出端;第三反相器INV3的輸出端和與門電路的其中一個輸入端連接,與門電路的另一個輸入端接外部驅動信號,與門電路的輸出端與GaN功率器件的柵極連接,GaN功率器件的漏極接外部電路,GaN功率器件的源極接地;所述GaN功率器件的元胞結構包括襯底01、位于襯底01上表面的緩沖層02、位于緩沖層02上表面的GaN溝道層03、位于GaN溝道層03上表面的AlGaN勢壘層04、源極歐姆金屬08和漏極歐姆金屬09;所述GaN溝道層03與AlGaN勢壘層04構成異質結;在AlGaN勢壘層04上表面覆蓋有鈍化層07;AlGaN勢壘層04和鈍化層07位于源極歐姆金屬08和漏極歐姆金屬09之間,源極歐姆金屬08和漏極歐姆金屬09分別位于GaN溝道層03上表面兩端;在源極歐姆金屬08上表面具有源極場板10,將源極場板10位于源極場板10上方的部分定義為第一垂直場板;第一垂直場板的頂端沿器件橫向方向向靠近漏極歐姆金屬09一側延伸至器件中部,定義該延伸部分為第一橫向場板;第一橫向場板的末端沿器件垂直方向向靠近鈍化層07的一側延伸,定義該延伸部分為第二垂直場板;第二垂直場板的末端沿器件橫向方向向靠近漏極歐姆金屬09一側延伸,定義該延伸部分為第二橫向場板;第一橫向場板、第二垂直場板和第二橫向場板形成Z字形結構;在第一橫向場板的下方具有P-GaN帽層05,P-GaN帽層05沿垂直方向貫穿鈍化層07與AlGaN勢壘層04直接接觸;在P-GaN帽層05上表面具有柵極金屬06;在P-GaN帽層05與漏極歐姆金屬09之間的鈍化層07上表面具有溫度監測單元11,并且第二橫向場板位于P-GaN帽層05與溫度監測單元11之間的鈍化層07上方;在P-GaN帽層05和柵極金屬06與第一垂直場板、第一橫向場板、第二垂直場板和第二橫向場板之間填充有隔離層12,隔離層12還覆蓋漏極歐姆金屬09、溫度監測單元11和鈍化層07的上表面,并且隔離層12的高度與第一橫向場板齊平至完全包裹第二垂直場板和第二橫向場板。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人電子科技大學,其通訊地址為:611731 四川省成都市高新西區西源大道2006號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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