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龍圖騰網恭喜江蘇矽騰半導體材料有限公司申請的專利一種單晶硅的磨削方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119217157B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411771106.1，技術領域涉及：B24B1/00；該發明授權一種單晶硅的磨削方法是由楊帥;程冬平;周凌龍;劉學軍設計研發完成，并于2024-12-04向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種單晶硅的磨削方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體硅材料加工技術領域，且公開了一種單晶硅的磨削方法，該方法針對單晶硅硅片的磨削加工，主要步驟包括，將硅棒切割成多個硅片樣本，并按照不同應用領域設定硅片厚度，將硅片樣本的切割面作為磨削面，并設定磨削階段，包括磨削準備、加工和后處理階段，對磨削面進行光照分析，通過不同投射方式獲取光照分析圖，識別磨削面上的凸起和凹陷區域，利用陰影區域獲取策略和陰影區域匹配策略，確定磨削面上的缺陷位置，根據識別的凸起和凹陷區域，執行磨削策略，包括磨削點位的確定和凸起區域的磨削。

本發明授權一種單晶硅的磨削方法在權利要求書中公布了：1.一種單晶硅的磨削方法，其特征在于：包括，將硅棒切割分為多個硅片樣本；硅片樣本的磨削區域為圓形，切割的厚度以制造行業的標準來定，若在集成電路制造中，硅片的厚度在75100微米之間；若在光伏行業的制造中，硅片的厚度在150微米到200微米（0.15毫米到0.2毫米）之間；設定硅片樣本的磨削階段，分為磨削準備階段、磨削加工階段與磨削后處理階段；獲取n個硅片樣本，進行編號，生成硅片樣本集合E，表示為E={，，...，}，其中表示為第i個硅片樣本，n為硅片樣本個數；將硅片樣本的切割面標記為磨削面，磨削面表面為圓形；設定投射時間間隔，記為Q；設置投射光源對磨削面進行投射的角度范圍區間，為[0°，180°]；在磨削面上設置兩條相互垂直的基準線，分別記為基準線P與基準線I；基準線的交點設置在磨削面的圓心處；將基準線P標記為縱向線，基準線I標記為橫向線；在磨削面上，作垂直于縱向線的半圓形截面，標記為截面Z，作垂直于橫向線的半圓截面，標記為截面X；通過投射光源沿著半圓形截面進行投射，投射方式分為第一投射方式與第二投射方式；所述第一投射方式為，投射光源沿著截面Z上的邊緣對磨削面進行投射；所述第二投射方式為，投射光源沿著截面X上的邊緣對磨削面進行投射；根據兩種投射方式，通過投射光源對磨削面進行投射，獲取第一投射方式與第二投射方式生成的光照分析圖集合，分別記為光照分析圖集合U與光照分析圖集合Y；所述光照分析圖為，投射光源在某一角度向磨削面進行投射形成的光照區域，該光照區域用于獲取磨削面的凸起區域以及凹陷區域；凹陷區域由于低于周圍表面，投射光源進行照射時，凹陷的底部無法被直接照亮，導致陰影區域加深，凹陷區域的邊緣較陡，投射光源會在邊緣處聚焦，使得凹陷邊緣出現明亮的高光區域；根據光照分析圖集合U與集合Y，獲取磨削面上的凸起區域與凹陷區域；在磨削加工階段開始時，針對凸起區域與凹陷區域，執行磨削策略。

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