恭喜山東大學徐明升獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜山東大學申請的專利一種通過分步氧化改善SiC柵氧界面質量的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119297081B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411782969.9，技術領域涉及：H01L21/28；該發明授權一種通過分步氧化改善SiC柵氧界面質量的方法是由徐明升;陳曉華;韓吉勝;徐現剛設計研發完成，并于2024-12-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種通過分步氧化改善SiC柵氧界面質量的方法在說明書摘要公布了：本發明屬于微電子和半導體技術領域，提供了一種通過分步氧化改善SiC柵氧界面質量的方法，包括：在碳化硅外延片上沉積α?Si，得到α?SiSiC復合結構；將所述α?SiSiC復合結構在不同的溫度下進行兩次干氧氧化，退火，即得。本發明采用分步氧化α?SiSiC體系，減少了SiCSiO2界面處碳團簇的含量，可以獲得較低界面態密度、低近界面陷阱密度、低氧化層有效固定電荷密度的高質量柵氧。同時低溫下α?Si轉換成SiO2，降低了柵介質的粗糙度，保證了柵氧的擊穿特性。本發明解決了SiCMOSFET器件柵氧制備過程中存在的SiCSiO2界面陷阱密度高、可靠性差等問題。
本發明授權一種通過分步氧化改善SiC柵氧界面質量的方法在權利要求書中公布了：1.一種通過分步氧化改善SiC柵氧界面質量的方法，其特征在于，包括：在碳化硅外延片上沉積α-Si，得到α-SiSiC復合結構；將所述α-SiSiC復合結構在不同的溫度下進行兩次干氧氧化，退火，即得；其中，一次干氧氧化的溫度為1000℃-1050℃；二次干氧氧化的溫度為1250℃-1500℃；所述退火采用NO退火，具體條件包括：溫度為1250℃-1500℃，時間為0.5-2小時，NO通入流量為100sccm-150sccm；所述一次干氧氧化的O2通入流量為150sccm-300sccm，時間為40-70min；所述二次干氧氧化的O2通入流量為150sccm-300sccm，時間為3min-10min。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人山東大學，其通訊地址為：250000 山東省濟南市歷城區山大南路27號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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