恭喜西安電子科技大學張軍琴獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜西安電子科技大學申請的專利考慮溫變參數變化的多層基板過孔電熱耦合模型構建方法獲國家發(fā)明授權專利權,本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN119476174B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉:該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為:202510037978.3,技術領域涉及:G06F30/39;該發(fā)明授權考慮溫變參數變化的多層基板過孔電熱耦合模型構建方法是由張軍琴;魏聰;劉銳欣;金鑫;單光寶;楊銀堂設計研發(fā)完成,并于2025-01-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本考慮溫變參數變化的多層基板過孔電熱耦合模型構建方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明提供的考慮溫變參數變化的多層基板過孔電熱耦合模型構建方法,涉及微電子技術領域。包括:根據多層基板過孔結構的尺寸參數、材料參數和多層等效電路網絡級聯方式,構建多層基板過孔結構對應的型集總參數等效電路模型;根據尺寸參數、材料參數、多層基板過孔結構的相鄰層間的溫度節(jié)點,構建多層基板過孔結構對應的等效熱路模型;利用硬件描述語言,將型集總參數等效電路模型和等效熱路模型進行連接,建立多層基板過孔電熱耦合模型,以利用多層基板過孔電熱耦合模型得到基板過孔的穩(wěn)態(tài)溫度。這樣,可以準確的獲取過孔的溫度變化,以及使得占用的計算資源+較少和計算時間較快。
本發(fā)明授權考慮溫變參數變化的多層基板過孔電熱耦合模型構建方法在權利要求書中公布了:1.一種考慮溫變參數變化的多層基板過孔電熱耦合模型構建方法,其特征在于,所述考慮溫變參數變化的多層基板過孔電熱耦合模型構建方法包括:根據多層基板過孔結構的尺寸參數、材料參數和多層等效電路網絡級聯方式,構建所述多層基板過孔結構對應的型集總參數等效電路模型,所述多層基板過孔結構包括三層氮化鋁基板、四層金屬接地層、金屬過孔和反焊盤,所述尺寸參數包括每層金屬接地層的厚度、每層氮化鋁基板的厚度、金屬過孔的半徑、反焊盤的半徑和金屬過孔的高度,所述材料參數包括所述金屬接地層和所述金屬過孔的導熱系數、所述氮化鋁基板的導熱系數、所述金屬接地層和所述金屬過孔的恒壓熱容、所述氮化鋁基板的恒壓熱容、所述金屬接地層和所述金屬過孔的密度以及所述氮化鋁基板的密度;根據所述尺寸參數、所述材料參數、所述多層基板過孔結構的相鄰層間的溫度節(jié)點,構建所述多層基板過孔結構對應的等效熱路模型;利用硬件描述語言,將所述型集總參數等效電路模型和所述等效熱路模型進行連接,建立多層基板過孔電熱耦合模型,以利用所述多層基板過孔電熱耦合模型得到基板過孔的穩(wěn)態(tài)溫度;所述根據所述尺寸參數、所述材料參數、所述多層基板過孔結構的相鄰層間的溫度節(jié)點,構建所述多層基板過孔結構對應的等效熱路模型,包括:根據中間兩層金屬接地層的中心位置,將所述多層基板過孔結構劃分為多個第二單層基板過孔子結構;根據所述每層金屬接地層的厚度、所述每層氮化鋁基板的厚度、所述金屬過孔的半徑、所述反焊盤的半徑、所述金屬過孔的高度、所述金屬接地層和所述金屬過孔的導熱系數、所述氮化鋁基板的導熱系數、所述金屬接地層和金屬過孔的恒壓熱容、所述氮化鋁基板的恒壓熱容、所述金屬接地層和金屬過孔的密度以及所述氮化鋁基板的密度,計算每個第二單層基板過孔子結構對應的橫向熱阻、縱向熱阻和熱容,所述橫向熱阻包括熱流流經金屬過孔擴散至氮化鋁基板的橫向熱阻,所述縱向熱阻包括熱流流經氮化鋁基板的縱向熱阻;根據所述橫向熱阻、所述縱向熱阻和所述熱容,構建所述多個第二單層基板過孔子結構對應的三維等效子熱路模型;根據所述三維等效子熱路模型,在劃分的四個水平方向上將所述多層基板過孔結構的相鄰層間的溫度節(jié)點進行連接,得到所述等效熱路模型;所述根據多層基板過孔結構的尺寸參數、材料參數和多層等效電路網絡級聯方式,構建所述多層基板過孔結構對應的型集總參數等效電路模型,包括:將所述多層基板過孔結構劃分為多個第一單層基板過孔子結構;根據所述每層金屬接地層的厚度、所述金屬過孔的半徑、所述反焊盤的半徑、所述金屬過孔的高度和所述氮化鋁基板的相對介電常數,計算所述多個第一單層基板過孔子結構的寄生參數,所述寄生參數包括寄生電阻;所述利用硬件描述語言,將所述型集總參數等效電路模型和所述等效熱路模型進行連接,建立多層基板過孔電熱耦合模型,以利用所述多層基板過孔電熱耦合模型得到基板過孔的穩(wěn)態(tài)溫度,包括:對所述寄生電阻、所述熱流流經金屬過孔擴散至氮化鋁基板的橫向熱阻和所述熱流流經氮化鋁基板的縱向熱阻,通過所述硬件描述語言進行描述,得到對應的溫變寄生電阻和溫變熱阻;在所述溫變寄生電阻中,利用每層氮化鋁基板中金屬過孔的電功耗輸出節(jié)點,輸出所述溫變寄生電阻產生的電功耗,并利用所述溫變熱阻中溫度節(jié)點間的溫度差更新所述溫變熱阻,得到更新后的等效熱路模型;利用所述硬件描述語言建立壓控電流源,所述壓控電流源中電功耗輸入節(jié)點的電功耗與所述溫變寄生電阻產生的電功耗相同;利用所述壓控電流源,將所述溫變寄生電阻產生的電功耗轉換為熱源,并將所述熱源輸入到所述更新后的等效熱路模型中,以建立所述多層基板過孔電熱耦合模型,并利用所述多層基板過孔電熱耦合模型得到所述基板過孔的穩(wěn)態(tài)溫度。
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