恭喜安徽長飛先進半導體股份有限公司謝煒獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜安徽長飛先進半導體股份有限公司申請的專利半導體器件及制備方法、功率模塊、功率轉換電路、車輛獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119486212B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510049078.0，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權半導體器件及制備方法、功率模塊、功率轉換電路、車輛是由謝煒;白明月;羅成志設計研發完成，并于2025-01-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及制備方法、功率模塊、功率轉換電路、車輛在說明書摘要公布了：本申請提供了一種半導體器件及其制備方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛，涉及半導體技術領域，該半導體器件包括半導體本體、柵極結構、填充層、源極和漏極。半導體本體的第一表面設置有延伸至半導體本體中的源極溝槽，半導體本體還包括位于源極溝槽內壁的絕緣層，絕緣層還包括從源極溝槽內壁延伸至源極溝槽外的至少部分。柵極結構從第一表面延伸至半導體本體中。填充層包括相連的第一部和第二部，第一部設置于源極溝槽內，第二部位于第一表面遠離第二表面的一側，在平行于第一表面的第一方向上朝至少一側延伸，并覆蓋絕緣層，第一部的材料和第二部的材料相同。本申請所提供的技術方案旨在提高半導體器件的可靠性。
本發明授權半導體器件及制備方法、功率模塊、功率轉換電路、車輛在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括：半導體本體，所述半導體本體被設置為第一導電類型，包括相對設置的第一表面和第二表面，所述第一表面設置有源極溝槽，所述源極溝槽從所述第一表面延伸至所述半導體本體中；所述半導體本體還包括位于所述源極溝槽內壁的絕緣層，所述絕緣層還包括從所述源極溝槽內壁延伸至所述源極溝槽外的至少部分；柵極結構，從所述第一表面延伸至所述半導體本體中；填充層，包括相連的第一部和第二部；所述第一部設置于所述源極溝槽內；所述第二部位于所述第一表面遠離所述第二表面的一側，在平行于所述第一表面的第一方向上朝至少一側延伸，并覆蓋所述絕緣層；所述第一部的材料和所述第二部的材料相同；源極，設置于所述第一表面；漏極，設置于所述第二表面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人安徽長飛先進半導體股份有限公司，其通訊地址為：241002 安徽省蕪湖市弋江區馬塘街道利民東路82號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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