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龍圖騰網(wǎng)恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司申請(qǐng)的專利一種半導(dǎo)體器件的制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119581324B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510114862.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/308；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件的制備方法是由黃祥;林成芝;董宗諭設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-01-24向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種半導(dǎo)體器件的制備方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制備方法，半導(dǎo)體器件的制備方法，包括以下步驟：提供一襯底，襯底上形成有間隔設(shè)置的柵極結(jié)構(gòu)，每個(gè)柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)均設(shè)置有側(cè)墻結(jié)構(gòu)；形成蓋帽保護(hù)層，蓋帽保護(hù)層覆蓋柵極結(jié)構(gòu)的上表面以及側(cè)墻結(jié)構(gòu)靠近柵極結(jié)構(gòu)上表面的表面；通過(guò)干法刻蝕工藝和濕法刻蝕工藝依次刻蝕襯底形成西格瑪溝槽，并在西格瑪溝槽中形成硅鍺外延層，干法刻蝕工藝刻蝕消耗去除蓋帽保護(hù)層；去除側(cè)墻結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過(guò)增加形成蓋帽保護(hù)層的步驟，使得蓋帽保護(hù)層可以在干法刻蝕工藝中保護(hù)所述柵極結(jié)構(gòu)和側(cè)墻結(jié)構(gòu)，避免了柵極硬掩模的過(guò)度刻蝕以及側(cè)墻結(jié)構(gòu)的過(guò)度刻蝕的問(wèn)題發(fā)生，有效保護(hù)了柵極硬掩模，從而保留了足夠的制程窗口。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：提供一襯底，所述襯底上形成有間隔設(shè)置的柵極結(jié)構(gòu)，每個(gè)所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)均依次設(shè)置有保護(hù)層、表面氧化層和側(cè)墻結(jié)構(gòu)；形成蓋帽保護(hù)層，所述蓋帽保護(hù)層覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)的上表面以及所述側(cè)墻結(jié)構(gòu)靠近所述柵極結(jié)構(gòu)上表面的表面，其中，形成蓋帽保護(hù)層的具體步驟為：通過(guò)沉積工藝在所述柵極結(jié)構(gòu)的上表面以及所述側(cè)墻結(jié)構(gòu)表面形成一氧化硅膜層，所述氧化硅膜層還覆蓋暴露出的所述表面氧化層；通過(guò)干刻刻蝕工藝清理位于所述襯底上的表面氧化層上的氧化硅膜層；周期性重復(fù)以上兩個(gè)步驟，直至所述柵極結(jié)構(gòu)的上表面及其附近的所述側(cè)墻結(jié)構(gòu)上保留的氧化硅膜層的厚度達(dá)到預(yù)期值，從而形成蓋帽保護(hù)層；通過(guò)干法刻蝕工藝和濕法刻蝕工藝依次刻蝕相鄰所述柵極結(jié)構(gòu)之間的襯底，以形成西格瑪溝槽，并在所述西格瑪溝槽中進(jìn)行硅鍺外延生長(zhǎng)，形成硅鍺外延層，其中，所述干法刻蝕工藝刻蝕消耗去除所述蓋帽保護(hù)層；去除所述側(cè)墻結(jié)構(gòu)。

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