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龍圖騰網恭喜北京市天潤中電高壓電子有限公司申請的專利一種雪崩高壓硅堆的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119578132B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510142298.8，技術領域涉及：G06F30/20；該發明授權一種雪崩高壓硅堆的制造方法是由王詩雪;張裕;王妍敏設計研發完成，并于2025-02-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種雪崩高壓硅堆的制造方法在說明書摘要公布了：本申請涉及半導體器件技術領域，具體涉及一種雪崩高壓硅堆的制造方法，該方法包括：根據雪崩高壓硅堆的工作電壓的范圍、子模塊個數，隨機獲得二極管分布向量和摻雜濃度向量；采用仿真軟件進行雪崩高壓硅堆模擬，得到仿真合格向量、硅堆功率以及電壓分布向量；計算仿真合格率；得到每個電壓分布向量的電壓適配度；得到高電壓權重，對電壓適配度進行加權求和，得到高電壓耐受度；得到均壓效果評估值，采用優化算法，得到最終的雪崩高壓硅堆的制造方案。本申請旨在平衡硅堆內部二極管之間的分壓，提高電壓分布均勻性，提高對高電壓的耐受性，降低齊納擊穿風險。

本發明授權一種雪崩高壓硅堆的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種雪崩高壓硅堆的制造方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：根據雪崩高壓硅堆的工作電壓的范圍、子模塊個數，隨機獲得二極管分布向量和摻雜濃度向量；所述二極管分布向量的長度通過雪崩高壓硅堆中包含的子模塊個數確定；二極管分布向量中的元素通過每個子模塊中的雪崩二極管的數量確定；所述摻雜濃度向量中的兩個元素分別通過雪崩高壓硅堆的工作電壓的最小值、最大值確定；將隨機獲得的二極管分布向量和摻雜濃度向量采用仿真軟件在預設數量個電壓點上進行雪崩高壓硅堆模擬，得到仿真合格向量、預設數量個硅堆功率以及預設數量個電壓分布向量；根據仿真合格向量中的元素數值，篩選正常工作的電壓點的電壓分布向量，計算仿真合格率；根據篩選出的每個電壓分布向量中的最大元素值在所有元素中的分布情況，得到每個電壓分布向量的電壓適配度；對篩選出的每個電壓點與篩選出的所有電壓點之間的硅堆功率進行比較，得到每個電壓點的高電壓權重，對電壓適配度進行加權求和，得到高電壓耐受度；基于所述仿真合格率以及所述高電壓耐受度，得到均壓效果評估值，采用優化算法，得到最終的雪崩高壓硅堆的制造方案。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京市天潤中電高壓電子有限公司，其通訊地址為：102403 北京市房山區沙崗街6號院一區5號樓-1至3層101一單元101；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。