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龍圖騰網恭喜湖南匯思光電科技有限公司申請的專利基于自組裝生長技術的量子點及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119730464B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510206828.0，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權基于自組裝生長技術的量子點及其制備方法是由楊駿捷;曾冬妮;付慧清;潘淑潔設計研發完成，并于2025-02-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于自組裝生長技術的量子點及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于自組裝生長技術的量子點及其制備方法，選擇GaAs襯底，進行升溫去除氧化層并除氣；再進行GaAs緩沖層的生長；升高溫度，進行AlGaAs緩沖層的生長；降低襯底溫度，再生長一層GaAs緩沖層；降低襯底溫度，并且修改生長腔中V族元素和III族元素速流比，生長一層InGaAs量子阱；修改生長腔中V族元素和III族元素速流比，在量子阱上生長InAs材料，通過自組裝的技術形成量子點；升高溫度，生長InAlAs應力緩沖層，再生長一層InGaAs蓋層，再生長GaAs間隔層。運用應力緩沖層，使用復合蓋層，減小量子點受到的應力，從而增大量子點的尺寸，最終得到需求的特殊波長的量子點。

本發明授權基于自組裝生長技術的量子點及其制備方法在權利要求書中公布了：1.基于自組裝生長技術的量子點的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：S100：選擇GaAs襯底，對GaAs襯底進行升溫去除氧化層并除氣；S200：在GaAs襯底上使用分子束外延技術在500℃~600℃高溫條件下進行GaAs緩沖層的生長；S300：升高GaAs襯底溫度至620℃~650℃，在GaAs緩沖層上進行AlGaAs緩沖層的生長；S400：降低襯底溫度至500℃~600℃，在AlGaAs緩沖層上再生長一層GaAs緩沖層；S500：再次降低襯底溫度至450℃到600℃之間，并且修改生長腔中V族元素和III族元素速流比在15~45的區間內，在GaAs緩沖層上生長一層InGaAs量子阱；S600：再次修改生長腔中V族元素和III族元素速流比在10~50的區間內，在InGaAs量子阱上生長InAs材料，通過自組裝的技術形成InAs量子點；S700：在InAs量子點上進一步升高10~40℃的溫度，生長InAlAs應力緩沖層，緊接著生長一層InGaAs蓋層，在InGaAs的蓋層上生長GaAs間隔層，之后進行襯底的升溫到500℃~600℃，生長高溫的GaAs間隔層，完成量子點的制備。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖南匯思光電科技有限公司，其通訊地址為：410000 湖南省長沙市岳麓區岳麓山大學科技城岳麓街道科技創意園5棟328房；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。