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龍圖騰網恭喜江蘇晟馳微電子有限公司申請的專利一種降低晶圓表面缺陷的擴散裝置及方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119812065B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510292984.3，技術領域涉及：H01L21/67；該發明授權一種降低晶圓表面缺陷的擴散裝置及方法是由王黎明設計研發完成，并于2025-03-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種降低晶圓表面缺陷的擴散裝置及方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種降低晶圓表面缺陷的擴散裝置及方法，涉及半導體制造技術領域，包括腔室主體、氣體循環機構和傳輸機構，所述氣體循環機構固定安裝在腔室主體的右側壁，氣體循環機構的高度與腔室主體頂端齊平，所述腔室主體外壁底端固定安裝有傳輸機構，傳輸機構的水平中心線與腔室主體的垂直中心線重合，所述腔室主體與氣體循環機構設置有互通腔道。本發明通過氣體循環機構，實現了氣體在腔室內的均勻分布，解決了氣體中的雜質沉積在晶圓表面的問題，純凈且均勻分布的氣體環境有助于減少晶圓表面的雜質沉積和化學反應，提高晶圓的質量和性能。

本發明授權一種降低晶圓表面缺陷的擴散裝置及方法在權利要求書中公布了：1.一種降低晶圓表面缺陷的擴散裝置，其特征在于：包括腔室主體（1）、氣體循環機構和傳輸機構，所述氣體循環機構固定安裝在腔室主體（1）的右側壁，氣體循環機構的高度與腔室主體（1）頂端齊平，所述腔室主體（1）外壁底端固定安裝有傳輸機構，傳輸機構的水平中心線與腔室主體（1）的垂直中心線重合，所述腔室主體（1）與氣體循環機構設置有互通腔道；所述氣體循環機構包括進氣口、梯度過濾器（3）和吸附反應單元（4），所述進氣口包含一號進氣口（2）和二號進氣口（9），所述一號進氣口（2）位于二號進氣口（9）正上方，所述一號進氣口（2）通入的氣體密度質量大于二號進氣口（9），所述進氣口處的連接管道設置為套疊管（14），所述套疊管（14）內部固定安裝有梯度過濾器（3），所述套疊管（14）外壁套設有支撐管（15），所述支撐管（15）內部設置有卡塊，所述卡塊提供預緊力固定梯度過濾器（3），所述套疊管（14）尾端所在的曲面固定安裝有吸附反應單元（4），所述吸附反應單元（4）內部設置有吸附子單元，所述吸附子單元采用非均勻性分子篩，所述分子篩內部填充吸附劑，所述吸附子單元的線路上集成有信號調節電路，所述信號調節電路接受控制中心傳遞的吸附啟動信號。

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