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龍圖騰網(wǎng)恭喜西安理工大學(xué)申請(qǐng)的專利一種多應(yīng)力協(xié)同作用下聚酰亞胺劣化分析方法及系統(tǒng)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119889546B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510380075.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G16C60/00；該發(fā)明授權(quán)一種多應(yīng)力協(xié)同作用下聚酰亞胺劣化分析方法及系統(tǒng)是由王倩;劉睿;周坤;任嘉文;秦司晨;查俊偉;琚澤立設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-03-28向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種多應(yīng)力協(xié)同作用下聚酰亞胺劣化分析方法及系統(tǒng)在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)是關(guān)于一種多應(yīng)力協(xié)同作用下聚酰亞胺劣化分析方法及系統(tǒng)，其中，所述方法包括：建立深空環(huán)境，得到深空環(huán)境下待測(cè)聚酰亞胺電荷積聚特性；根據(jù)深空環(huán)境下待測(cè)聚酰亞胺材料的陷阱能態(tài)分布特性，構(gòu)建深空環(huán)境下待測(cè)聚酰亞胺材料的電荷行為精細(xì)描述模型；根據(jù)深空環(huán)境下待測(cè)聚酰亞胺材料的靜電放電特性，構(gòu)建待測(cè)聚酰亞胺材料電荷積聚特性與靜電放電特性的關(guān)聯(lián)關(guān)系；根據(jù)深空環(huán)境下待測(cè)聚酰亞胺材料微觀分子結(jié)構(gòu)、電荷行為精細(xì)描述模型以及電荷積聚特性與靜電放電特性的關(guān)聯(lián)關(guān)系，得到聚酰亞胺絕緣性能劣化趨勢(shì)。本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N多應(yīng)力協(xié)同作用下聚酰亞胺劣化分析方法及系統(tǒng)，能夠得到在長期多應(yīng)力協(xié)同作用下聚酰亞胺絕緣性能的劣化趨勢(shì)。

本發(fā)明授權(quán)一種多應(yīng)力協(xié)同作用下聚酰亞胺劣化分析方法及系統(tǒng)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種多應(yīng)力協(xié)同作用下聚酰亞胺劣化分析方法，其特征在于，包括：建立仿真深空環(huán)境，將待測(cè)聚酰亞胺材料置于仿真深空環(huán)境中，從而得到仿真深空環(huán)境下待測(cè)聚酰亞胺電荷積聚特性，所述電荷積聚特性包括表面電荷特性和空間電荷特性；根據(jù)仿真深空環(huán)境下待測(cè)聚酰亞胺材料的陷阱能態(tài)分布特性，獲取電子入射軌跡與電子能量沉積分布，從而得到電子沉積深度分布，通過電子沉積深度分布與電荷積聚特性，構(gòu)建仿真深空環(huán)境下待測(cè)聚酰亞胺材料的電荷行為精細(xì)描述模型，所述精細(xì)描述模型包括：電子濃度變化率方程、電荷電流密度方程、空穴濃度變化率方程、電子捕獲率方程與電子釋放率方程；具體步驟為：采用高場(chǎng)強(qiáng)寬溫譜熱刺激電流與空間電荷聯(lián)合實(shí)驗(yàn)得到仿真深空環(huán)境下待測(cè)聚酰亞胺材料的電荷性質(zhì)與陷阱能態(tài)；通過蒙特卡洛方法獲取電子入射軌跡與電子能量沉積分布，得到待測(cè)聚酰亞胺電子沉積深度分布；根據(jù)待測(cè)聚酰亞胺電子沉積深度分布與電荷積聚特性，構(gòu)建仿真深空環(huán)境下待測(cè)聚酰亞胺材料的電荷行為精細(xì)描述模型；根據(jù)仿真深空環(huán)境下待測(cè)聚酰亞胺材料的電荷積聚特性得到靜電放電特性，并通過待測(cè)聚酰亞胺材料的電荷行為精細(xì)描述模型得到介觀參量，通過所述電荷積聚特性、所述靜電放電特性與所述介觀參量構(gòu)建待測(cè)聚酰亞胺材料電荷積聚特性與靜電放電特性的關(guān)聯(lián)關(guān)系；根據(jù)仿真深空環(huán)境下待測(cè)聚酰亞胺材料微觀分子結(jié)構(gòu)、所述電荷行為精細(xì)描述模型以及所述電荷積聚特性與靜電放電特性的關(guān)聯(lián)關(guān)系，得到聚酰亞胺絕緣性能劣化趨勢(shì)；具體步驟為：獲取仿真深空環(huán)境下待測(cè)聚酰亞胺材料微觀分子結(jié)構(gòu)；所述待測(cè)聚酰亞胺材料微觀分子結(jié)構(gòu)包括近程結(jié)構(gòu)信息與遠(yuǎn)程結(jié)構(gòu)信息；根據(jù)待測(cè)聚酰亞胺材料微觀分子結(jié)構(gòu)、待測(cè)聚酰亞胺材料電荷積聚與放電特性之間的關(guān)聯(lián)關(guān)系，得到聚酰亞胺絕緣性能劣化趨勢(shì)；所述聚酰亞胺絕緣性能劣化趨勢(shì)為： ；其中，為初始劣化程度，為比例常數(shù)，為權(quán)重系數(shù)，為電荷積聚密度，為電荷積聚密度初始值，為陷阱密度，為陷阱密度初始值，為陷阱能級(jí)，為陷阱能級(jí)初始值，為電荷遷移率，為電荷遷移率初始值，為活化能，為活化能初始值，為電導(dǎo)率，為電導(dǎo)率初始值，為相對(duì)介電常數(shù)，為相對(duì)介電常數(shù)初始值，為擊穿場(chǎng)強(qiáng)，為放電能量，為放電能量初始值，為沿面閃絡(luò)電壓。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人西安理工大學(xué)，其通訊地址為：710048 陜西省西安市金花南路5號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。