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龍圖騰網獲悉西安理工大學申請的專利一種多應力協同作用下聚酰亞胺劣化分析方法及系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119889546B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510380075.5，技術領域涉及：G16C60/00；該發明授權一種多應力協同作用下聚酰亞胺劣化分析方法及系統是由王倩;劉睿;周坤;任嘉文;秦司晨;查俊偉;琚澤立設計研發完成，并于2025-03-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種多應力協同作用下聚酰亞胺劣化分析方法及系統在說明書摘要公布了：本申請是關于一種多應力協同作用下聚酰亞胺劣化分析方法及系統，其中，所述方法包括：建立深空環境，得到深空環境下待測聚酰亞胺電荷積聚特性；根據深空環境下待測聚酰亞胺材料的陷阱能態分布特性，構建深空環境下待測聚酰亞胺材料的電荷行為精細描述模型；根據深空環境下待測聚酰亞胺材料的靜電放電特性，構建待測聚酰亞胺材料電荷積聚特性與靜電放電特性的關聯關系；根據深空環境下待測聚酰亞胺材料微觀分子結構、電荷行為精細描述模型以及電荷積聚特性與靜電放電特性的關聯關系，得到聚酰亞胺絕緣性能劣化趨勢。本申請提供一種多應力協同作用下聚酰亞胺劣化分析方法及系統，能夠得到在長期多應力協同作用下聚酰亞胺絕緣性能的劣化趨勢。

本發明授權一種多應力協同作用下聚酰亞胺劣化分析方法及系統在權利要求書中公布了：1.一種多應力協同作用下聚酰亞胺劣化分析方法，其特征在于，包括：建立仿真深空環境，將待測聚酰亞胺材料置于仿真深空環境中，從而得到仿真深空環境下待測聚酰亞胺電荷積聚特性，所述電荷積聚特性包括表面電荷特性和空間電荷特性；根據仿真深空環境下待測聚酰亞胺材料的陷阱能態分布特性，獲取電子入射軌跡與電子能量沉積分布，從而得到電子沉積深度分布，通過電子沉積深度分布與電荷積聚特性，構建仿真深空環境下待測聚酰亞胺材料的電荷行為精細描述模型，所述精細描述模型包括：電子濃度變化率方程、電荷電流密度方程、空穴濃度變化率方程、電子捕獲率方程與電子釋放率方程；具體步驟為：采用高場強寬溫譜熱刺激電流與空間電荷聯合實驗得到仿真深空環境下待測聚酰亞胺材料的電荷性質與陷阱能態；通過蒙特卡洛方法獲取電子入射軌跡與電子能量沉積分布，得到待測聚酰亞胺電子沉積深度分布；根據待測聚酰亞胺電子沉積深度分布與電荷積聚特性，構建仿真深空環境下待測聚酰亞胺材料的電荷行為精細描述模型；根據仿真深空環境下待測聚酰亞胺材料的電荷積聚特性得到靜電放電特性，并通過待測聚酰亞胺材料的電荷行為精細描述模型得到介觀參量，通過所述電荷積聚特性、所述靜電放電特性與所述介觀參量構建待測聚酰亞胺材料電荷積聚特性與靜電放電特性的關聯關系；根據仿真深空環境下待測聚酰亞胺材料微觀分子結構、所述電荷行為精細描述模型以及所述電荷積聚特性與靜電放電特性的關聯關系，得到聚酰亞胺絕緣性能劣化趨勢；具體步驟為：獲取仿真深空環境下待測聚酰亞胺材料微觀分子結構；所述待測聚酰亞胺材料微觀分子結構包括近程結構信息與遠程結構信息；根據待測聚酰亞胺材料微觀分子結構、待測聚酰亞胺材料電荷積聚與放電特性之間的關聯關系，得到聚酰亞胺絕緣性能劣化趨勢；所述聚酰亞胺絕緣性能劣化趨勢為： ；其中，為初始劣化程度，為比例常數，為權重系數，為電荷積聚密度，為電荷積聚密度初始值，為陷阱密度，為陷阱密度初始值，為陷阱能級，為陷阱能級初始值，為電荷遷移率，為電荷遷移率初始值，為活化能，為活化能初始值，為電導率，為電導率初始值，為相對介電常數，為相對介電常數初始值，為擊穿場強，為放電能量，為放電能量初始值，為沿面閃絡電壓。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安理工大學，其通訊地址為：710048 陜西省西安市金花南路5號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。