恭喜圣暉萊南京能源科技有限公司高亮獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜圣暉萊南京能源科技有限公司申請的專利銅銦鎵硒PN接面及其制備方法及在半導體薄膜組件及光電感測模塊中的應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111799341B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910266450.8，技術領域涉及：H10F77/12；該發明授權銅銦鎵硒PN接面及其制備方法及在半導體薄膜組件及光電感測模塊中的應用是由高亮;張準;林于庭設計研發完成，并于2019-04-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本銅銦鎵硒PN接面及其制備方法及在半導體薄膜組件及光電感測模塊中的應用在說明書摘要公布了：本申請涉及一種PN接面及其制備方法及用途，包含所述的PN接面的半導體薄膜組件尤其是光電二極管組件及包含所述的半導體薄膜組件的光電感測模塊及其廣泛用途。所述的PN接面包含P型銅銦鎵硒半導體薄膜層及N型銅銦鎵硒半導體薄膜層，所述的N型銅銦鎵硒半導體薄膜層由銅銦鎵硒等元素構成，其中銅相較于銦的莫耳數比在1.1至1.5的范圍內且具有化學式CuInxGa1?xSe2，其中x的數值在0.6至0.9的范圍內。制備所述的PN接面的方法使用四元靶材、為干式制程、無須硒化處理且可將所述的PN接面制作于可撓性基板上。
本發明授權銅銦鎵硒PN接面及其制備方法及在半導體薄膜組件及光電感測模塊中的應用在權利要求書中公布了：1.一種PN接面，其包含P型銅銦鎵硒半導體薄膜層及N型銅銦鎵硒半導體薄膜層，其中所述的P型銅銦鎵硒半導體薄膜層中的銅相較于銦的原子莫耳數比在1.6至2的范圍內；并且其中所述的N型銅銦鎵硒半導體薄膜層中的銅相較于銦的原子莫耳數比在1.1至1.5的范圍內。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人圣暉萊南京能源科技有限公司，其通訊地址為：211135 江蘇省南京市麒麟高新技術產業開發區創研路266號7號樓輔樓1-3層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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