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龍圖騰網(wǎng)恭喜應(yīng)用材料公司申請的專利在熱氧化物品質(zhì)的低溫生長厚氧化物膜的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113557589B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202080020204.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)在熱氧化物品質(zhì)的低溫生長厚氧化物膜的方法是由柯蒂斯·萊施克斯;約翰內(nèi)斯·F·斯溫伯格;本杰明·科倫坡;史蒂文·韋爾韋貝克設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-02-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本在熱氧化物品質(zhì)的低溫生長厚氧化物膜的方法在說明書摘要公布了：于此描述的實施方案大體涉及在半導(dǎo)體基板上形成低k介電材料的方法。更具體地，于此描述的實施方案涉及在高壓和低溫下形成氧化硅膜的方法。形成氧化硅膜的方法包括以下步驟：將其上形成有含硅膜的基板裝載到高壓容器的處理區(qū)域中。方法進(jìn)一步包括以下步驟：在含硅膜上形成氧化硅膜。在含硅膜上形成氧化硅膜的步驟包括以下步驟：將含硅膜在大于約1bar的壓力下暴露于包括胺添加劑的氧化介質(zhì)，并將高壓容器保持在約100攝氏度和約550攝氏度之間的溫度下。

本發(fā)明授權(quán)在熱氧化物品質(zhì)的低溫生長厚氧化物膜的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種形成氧化硅膜的方法，包括以下步驟：將其上沉積有含硅膜的基板裝載到高壓容器的處理區(qū)域中，所述含硅膜包括硅或氮化硅；和在所述含硅膜上形成氧化硅膜，包括以下步驟：將所述含硅膜在大于1bar的壓力下暴露于包括添加劑的氧化介質(zhì)，所述添加劑包括銨或氨，其中所述氧化介質(zhì)包括1,000ppm至20,000ppm的所述添加劑；和將所述高壓容器保持在100攝氏度和550攝氏度之間的溫度下。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人應(yīng)用材料公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。