恭喜三菱化學株式會社江夏悠貴獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜三菱化學株式會社申請的專利GaN基板晶片及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113906170B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080040339.8，技術領域涉及：C30B29/40；該發明授權GaN基板晶片及其制造方法是由江夏悠貴;磯憲司設計研發完成，并于2020-05-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本GaN基板晶片及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供可優選用于具有臥式器件結構的氮化物半導體器件的制造、具有得到了改善的生產性的GaN基板晶片。該GaN基板晶片為發生了0001取向的GaN基板晶片，其夾著再生長界面具有設置于N極性側的第一區域、和設置于Ga極性側的具有最小厚度的第二區域，其中，該第二區域的最小厚度為20μm以上，在該第二區域的至少一部分中，補償雜質的總濃度為1×1017atomscm3以上。
本發明授權GaN基板晶片及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種GaN基板晶片，其是發生了0001取向的GaN基板晶片，該GaN基板晶片夾著再生長界面具有設置于N極性側的第一區域、和設置于Ga極性側的具有最小厚度的第二區域，其中，該第一區域中，補償雜質的總濃度小于1×1017atomscm3，該第二區域的最小厚度為20μm以上，該第二區域的最小厚度為350μm以下，在該第二區域的至少一部分中，補償雜質的總濃度為1×1017atomscm3以上，所述Ga極性側的主面為平坦面，該GaN基板晶片滿足選自以下1～3中的任意條件，1具有50mm以上且55mm以下的直徑和250μm以上且450μm以下的厚度，2具有100mm以上且105mm以下的直徑和350μm以上且750μm以下的厚度，3具有150mm以上且155mm以下的直徑和450μm以上且800μm以下的厚度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三菱化學株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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