微軟技術許可有限責任公司M·J·曼弗拉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉微軟技術許可有限責任公司申請的專利量子阱場效應晶體管及其制造方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114402439B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202080064602.7，技術領域涉及：H10D62/81；該發(fā)明授權量子阱場效應晶體管及其制造方法是由M·J·曼弗拉;C·F·托馬斯設計研發(fā)完成，并于2020-06-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本量子阱場效應晶體管及其制造方法在說明書摘要公布了：量子阱場效應晶體管QWFET包括阻擋層、量子阱層和間隔層。量子阱層在阻擋層上。阻擋層和間隔層包括未摻雜的銻化鋁銦。量子阱層包括銻化銦。間隔層在量子阱層上。量子阱層和間隔層在源極觸點與漏極觸點之間。柵極觸點在介電層上，介電層在間隔層上。通過將阻擋層和間隔層設置為未摻雜的層，可以改善QWFET的性能。
本發(fā)明授權量子阱場效應晶體管及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種量子阱場效應晶體管QWFET，包括：源極觸點、漏極觸點和柵極觸點；阻擋層，包括銻化鋁銦，其中所述阻擋層是未摻雜的；量子阱層，在所述阻擋層上，其中所述量子阱層在所述源極觸點與所述漏極觸點之間，并且所述量子阱層包括銻化銦；間隔層，直接在所述量子阱層上，其中所述間隔層在所述源極觸點與所述漏極觸點之間，所述間隔層包括銻化鋁銦，所述間隔層是未摻雜的，并且不存在直接與所述間隔層相鄰的Δ摻雜層；以及介電層，直接在所述間隔層上，其中所述柵極觸點在與所述間隔層相對的所述介電層上。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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