恭喜東京毅力科創株式會社拉爾斯·利布曼獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜東京毅力科創株式會社申請的專利用于埋式電源軌的CFET電力輸送網絡獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114631180B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080073454.5，技術領域涉及：H01L23/528；該發明授權用于埋式電源軌的CFET電力輸送網絡是由拉爾斯·利布曼;杰弗里·史密斯;丹尼爾·沙內穆加梅;安東·德維利耶設計研發完成，并于2020-08-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于埋式電源軌的CFET電力輸送網絡在說明書摘要公布了：一種半導體器件包括第一電源軌、第一電力輸入結構、電路和第一中段軌。該第一電源軌形成在襯底上的第一隔離溝槽內的第一軌開口中。該第一電力輸入結構被配置為與半導體器件外部的電源的第一端子連接以從該電源接收電力。該電路在襯底上由第一電源軌與第一電力輸入結構之間的層形成。第一中段軌由形成該電路的這些層中的一層或多層形成。第一中段軌被配置為將來自第一電力輸入結構的電力輸送到第一電源軌，并且第一電源軌將電力提供給該電路以供操作。
本發明授權用于埋式電源軌的CFET電力輸送網絡在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括：第一電源軌，該第一電源軌形成在襯底上的第一隔離溝槽內的第一軌開口中；第一電力輸入結構，該第一電力輸入結構被配置為與該半導體器件外部的電源的第一端子連接以從該電源接收電力；有源器件，該有源器件形成在該第一電源軌與該第一電力輸入結構之間；以及第一中段軌，該第一中段軌由沿第一方向布置的多個層形成，該第一中段軌被配置為將來自該第一電力輸入結構的電力輸送到該第一電源軌，該第一電源軌將該電力提供給該有源器件以供操作，并且，在所述第一方向上，該第一中段軌的多個層中的最頂層的下表面高于且鄰近所述有源器件的上表面，并且該第一中段軌的多個層中的最底層的下表面高于且鄰近所述有源器件的下表面。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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