臺灣積體電路制造股份有限公司陳信宇獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利光學準直器、半導體裝置及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112687708B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010885422.7，技術領域涉及：H10F39/12；該發明授權光學準直器、半導體裝置及其形成方法是由陳信宇;翁睿均;潘漢宗;張佑誠;黎俊朋;陳信樺;邱俊杰;劉彥江;許希丞;胡景翔;洪嘉駿;李佳烜;杜立揚;拉瓦亞·沙納卡瓦拉普;吳威鼎;蔣季宏設計研發完成，并于2020-08-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本光學準直器、半導體裝置及其形成方法在說明書摘要公布了：本公開實施例公開光學準直器、半導體裝置及其形成方法。在一實施例中，光學準直器包含：介電層；基底；以及多個通孔，其中介電層形成于基底上方，其中多個通孔被配置為沿介電層的第一表面的橫向方向延伸的陣列，其中多個通孔的每一者在垂直方向從介電層的第一表面延伸通過介電層和基底至基底的第二表面，其中基底具有整體雜質摻雜濃度等于或大于1×1019cm?3和第一厚度，且其中基底的整體雜質摻雜濃度和第一厚度被配置為允許光學準直器過濾一波長范圍的光。
本發明授權光學準直器、半導體裝置及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種光學準直器，包括：一介電層；一基底；以及多個通孔，其中該介電層形成于該基底上方，其中該多個通孔被配置為沿該介電層的一第一表面的一橫向方向延伸的一陣列，其中該多個通孔的每一者在一垂直方向從該介電層的該第一表面延伸通過該介電層和該基底至該基底的一第二表面，其中該基底具有一整體雜質摻雜濃度等于或大于1×1019cm-3和一第一厚度，且其中該基底的該整體雜質摻雜濃度和該第一厚度被配置為允許該光學準直器過濾一波長范圍的光，其中該基底的該第一厚度及該多個通孔的每一者的一直徑大于該介電層的一第二厚度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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