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龍圖騰網恭喜力晶積成電子制造股份有限公司申請的專利非揮發(fā)性存儲器元件及其制造方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114530452B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202011441535.4，技術領域涉及：H10B41/10；該發(fā)明授權非揮發(fā)性存儲器元件及其制造方法是由顏祥修;蔡博安設計研發(fā)完成，并于2020-12-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本非揮發(fā)性存儲器元件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種非揮發(fā)性存儲器元件及其制造方法，其中該非揮發(fā)性存儲器元件的制造方法，包括在基底內形成元件隔離結構、在基底上形成浮動柵極、內層介電層與浮動柵極接觸窗以及于內層介電層上形成內連線結構。所述內連線結構包括交替堆疊的多層金屬層與多層金屬層間介電IMD層以及連接上下金屬層的多個介層窗。在所述方法中，形成內層介電層之后，在元件隔離結構上方的內層介電層與金屬層間介電層中的至少一層內，同時形成第一梳型接觸窗作為浮動柵極延伸部以及第二梳型接觸窗作為控制柵極。在形成所述內連線結構期間，同時形成電連接浮動柵極延伸部至浮動柵極接觸窗的結構。

本發(fā)明授權非揮發(fā)性存儲器元件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種非揮發(fā)性存儲器元件的制造方法，包括：在基底內形成定義出主動區(qū)域的元件隔離結構；在所述主動區(qū)域內的所述基底上形成浮動柵極；在所述基底上形成內層介電innerlayerdielectric,ILD層，覆蓋所述浮動柵極與所述元件隔離結構；在所述內層介電層內形成浮動柵極接觸窗，接觸所述浮動柵極；以及在所述內層介電層上形成內連線結構，其中所述內連線結構包括交替堆疊的多層金屬層與多層金屬層間介電IMD層以及連接上下金屬層的多個介層窗，其中所述制造方法的特征在于：在形成所述內層介電層之后，在所述元件隔離結構上方的所述內層介電層與所述金屬層間介電層中的至少一層內，同時形成第一梳型接觸窗作為浮動柵極延伸部以及第二梳型接觸窗作為控制柵極；以及在形成所述內連線結構期間，同時形成電連接所述浮動柵極延伸部至所述浮動柵極接觸窗的結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人力晶積成電子制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū)；或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服，聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。