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龍圖騰網恭喜日亞化學工業株式會社申請的專利發光裝置的制造方法和發光裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114902435B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080090057.9，技術領域涉及：H10H20/857；該發明授權發光裝置的制造方法和發光裝置是由三賀大輔設計研發完成，并于2020-12-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本發光裝置的制造方法和發光裝置在說明書摘要公布了：本發明一實施方式涉及一種發光裝置的制造方法，包含將在同一面側具備p側電極31和n側電極32的發光元件30設置在基材10上的工序。特別是，在本發明的一實施方式中，依次包含：在所述基材10上，形成正極側的配線晶種層11和負極側的配線晶種層12的步驟；在所述基材10上的載置有所述發光元件30的區域內形成抗蝕圖案20的至少一部分的步驟；以所述p側電極31和所述正極側的配線晶種層11分隔對置，并且所述n側電極32和所述負極側的配線晶種層12分隔對置的方式，將所述發光元件30載置于所述抗蝕圖案20上的步驟；以所述抗蝕圖案20為掩膜，對所述正極側的配線晶種層11和與該正極側的配線晶種層11分隔配置的所述p側電極31之間、以及所述負極側的配線晶種層12和與該負極側的配線晶種層12分隔配置的所述n側電極32之間進行電鍍接合的步驟；除去所述抗蝕圖案20的步驟。

本發明授權發光裝置的制造方法和發光裝置在權利要求書中公布了：1.一種發光裝置的制造方法，包含將在同一面側具備p側電極和n側電極的發光元件設置于基材上的工序，其特征在于，所述工序依次包含：準備空出規定的間隔而形成有正極側的配線晶種層和負極側的配線晶種層的基材的步驟；在所述基材上的載置有所述發光元件的區域內形成抗蝕圖案的至少一部分的步驟；以所述p側的電極和所述正極側的配線晶種層分隔對置，并且所述n側的電極和所述負極側的配線晶種層分隔對置的方式，將所述發光元件載置于所述抗蝕圖案上的步驟；以所述抗蝕圖案為掩膜，對所述正極側的配線晶種層和與該正極側的配線晶種層分隔配置的所述p側電極之間、以及所述負極側的配線晶種層和與該負極側的配線晶種層分隔配置的所述n側電極之間進行電鍍接合的步驟；除去所述抗蝕圖案的步驟。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人日亞化學工業株式會社，其通訊地址為：日本德島縣；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。