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龍圖騰網(wǎng)恭喜西安市新雷能電子科技有限責(zé)任公司申請的專利一種高壓輸入的浪涌電流抑制電路獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112928744B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110409117.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H02H9/04；該發(fā)明授權(quán)一種高壓輸入的浪涌電流抑制電路是由辛帥;岳坤;陳良;李小強;何遠;韓蘇林設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-04-16向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種高壓輸入的浪涌電流抑制電路在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及浪涌抑制技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種高壓輸入的浪涌電流抑制電路，包括：N型MOS管VT1，電容C1和電阻R2；N型MOS管VT1的漏極連接輸入電源，N型MOS管VT1的源極連接輸出端，電容C1的一端連接N型MOS管VT1的源極，電容C1的另一端連接電阻R2的一端，電阻R2的另一端接地；還包括負反饋電路，負反饋電路一端連接電阻R2，另一端連接N型MOS管VT1的柵極，用于控制N型MOS管VT1的導(dǎo)通深度，從而對浪涌電流進行精確控制，這種高壓輸入的浪涌電流抑制電路，對浪涌電流進行精確控制，解決了輸入電壓范圍寬、工作溫度范圍寬而導(dǎo)致浪涌電流一致性差的問題。

本發(fā)明授權(quán)一種高壓輸入的浪涌電流抑制電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種高壓輸入的浪涌電流抑制電路，其特征在于，包括：N型MOS管VT1，電容C1和電阻R2；N型MOS管VT1的漏極連接輸入電源，N型MOS管VT1的源極連接輸出端，電容C1的一端連接N型MOS管VT1的源極，電容C1的另一端連接電阻R2的一端，電阻R2的另一端接地；還包括負反饋電路，負反饋電路一端連接電阻R2，另一端連接N型MOS管VT1的柵極，用于控制N型MOS管VT1的導(dǎo)通深度，從而對浪涌電流進行精確控制；所述負反饋電路包括：采樣放大電路、比較電路和光耦電路；采樣放大電路，用于對電阻R2兩端的電壓進行采樣并放大得到電壓V1；比較電路，用于將電壓V1與參考電壓V2進行比較；光耦電路，根據(jù)比較電路的輸出信號控制N型MOS管VT1的導(dǎo)通深度，從而對浪涌電流進行精確控制；所述采樣放大電路包括：電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7和運放U1A，電阻R3的一端、電阻R4的一端和電阻R5的一端均連接運放U1A的正相輸入端，電阻R3的另一端接地，電阻R4的另一端和運放U1A均連接電源VCC，電阻R5的另一端連接電阻R2，電阻R6的一端連接運放U1A的反相輸入端，電阻R6的另一端接地，電阻R7連接在運放U1A的輸出端和反相輸入端之間，運放U1A的輸出端連接比較電路；所述比較電路包括：比較器U1B，比較器U1B的反相輸入端連接電壓V1，且通過電阻R8連接運放U1A的輸出端，比較器U1B的正相輸入端連接參考電壓V2，比較器U1B的反相輸入端與輸出端之間依次連接有電阻R12和電容C2，比較器U1B的輸出端通過電阻R19連接光耦電路的輸入端；所述光耦電路包括：光耦U2、電阻R20、電阻R21和二極管D1，光耦U2連接電源VCC，電阻R19連接光耦U2的原邊，光耦U2的副邊與電阻R21并聯(lián)，電阻R21一端連接N型MOS管VT1的源極，電阻R21另一端連接電阻R20的一端，電阻R20的另一端連接二極管D1的陰極，二極管D1的陽極通過電阻R1連接N型MOS管VT1的柵極；還包括電源切換電路；所述電源切換電路包括：電阻R13、電阻R14、電阻R15、電阻R16、電阻R17、電阻R18、N型MOS管VT2和N型MOS管VT3，電阻R13的一端連接控制信號KZ，電阻R13的另一端連接N型MOS管VT2的柵極，電阻R14連接在N型MOS管VT2的柵極和源極之間，N型MOS管VT2的源極接地，電阻R15的一端連接N型MOS管VT2的漏極，電阻R15的另一端連接電阻R16的一端同時連接電源VCC，電阻R16的另一端輸出參考電壓V2，電阻R18連接在N型MOS管VT2的源極和漏極之間，電阻R18連接在N型MOS管VT3的柵極和源極之間，N型MOS管VT3的源極接地，N型MOS管VT3的源極通過電容C3連接光耦U2的原邊，N型MOS管VT3的漏極通過電阻R17連接電阻R16的另一端同時連接運放U1B的正相輸入端；電阻R13～R18及N型MOS管VT2、VT3為切換電路，電源剛啟動時，控制信號KZ為低電平，V2電壓為電阻R16、R17的分壓，設(shè)置的浪涌電流抑制點小，當(dāng)電容C1充電完成時，通過壓降檢測電路檢測到N型MOS管VT1兩端電壓壓降小于設(shè)定范圍時，使控制信號KZ切換成高電平，V2＝VCC，此時電路切換到大電流模式，切換電路是通過一個KZ信號改變V2的電壓，控制電源工作在小電流模式和大電流模式，電源啟動的時候在小電流模式工作，啟動完成后就切換到大電流模式。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人西安市新雷能電子科技有限責(zé)任公司，其通訊地址為：710000 陜西省西安市高新區(qū)學(xué)士路南段39號2幢1單元10601室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。