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龍圖騰網(wǎng)恭喜臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請(qǐng)的專利晶體管柵極結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113690305B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110873984.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/27；該發(fā)明授權(quán)晶體管柵極結(jié)構(gòu)及其形成方法是由林士堯;陳振平;李筱雯;林志翰設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-07-30向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本晶體管柵極結(jié)構(gòu)及其形成方法在說(shuō)明書摘要公布了：本公開(kāi)涉及晶體管柵極結(jié)構(gòu)及其形成方法。在一個(gè)實(shí)施例中，一種器件，包括：隔離區(qū)域；納米結(jié)構(gòu)，突出得高于隔離區(qū)域的頂表面；柵極結(jié)構(gòu)，包裹在納米結(jié)構(gòu)的周圍，該柵極結(jié)構(gòu)具有與隔離區(qū)域接觸的底表面，柵極結(jié)構(gòu)的底表面延伸到遠(yuǎn)離納米結(jié)構(gòu)第一距離，該柵極結(jié)構(gòu)具有被設(shè)置為距離納米結(jié)構(gòu)第二距離的側(cè)壁，第一距離小于或等于第二距離；以及柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上的混合鰭。

本發(fā)明授權(quán)晶體管柵極結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，包括：隔離區(qū)域；納米結(jié)構(gòu)，突出得高于所述隔離區(qū)域的頂表面；柵極結(jié)構(gòu)，包裹在所述納米結(jié)構(gòu)的周圍，所述柵極結(jié)構(gòu)具有與所述隔離區(qū)域接觸的底表面，所述柵極結(jié)構(gòu)的底表面延伸到遠(yuǎn)離所述納米結(jié)構(gòu)第一距離，所述柵極結(jié)構(gòu)具有被設(shè)置為距離所述納米結(jié)構(gòu)第二距離的側(cè)壁，所述第一距離小于或等于所述第二距離；以及所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上的混合鰭，其中，所述混合鰭由電介質(zhì)材料形成，其中，所述半導(dǎo)體器件還包括：保護(hù)層，設(shè)置在所述混合鰭和所述柵極結(jié)構(gòu)之間，所述保護(hù)層覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的上部，所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的下部沒(méi)有被所述保護(hù)層覆蓋。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國(guó)臺(tái)灣新竹市新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)力行六路8號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。