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恭喜科磊股份有限公司M·吉諾烏克獲國家專利權

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龍圖騰網恭喜科磊股份有限公司申請的專利用于改進疊加誤差計量的感應位移獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN117546090B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202180099693.2,技術領域涉及:G03F7/20;該發明授權用于改進疊加誤差計量的感應位移是由M·吉諾烏克;Y·弗萊設計研發完成,并于2021-10-21向國家知識產權局提交的專利申請。

用于改進疊加誤差計量的感應位移在說明書摘要公布了:一種用于半導體計量的方法包含將第一薄膜層沉積在半導體襯底上并沉積上覆所述第一薄膜層的第二薄膜層。圖案化所述第一薄膜層及所述第二薄膜層以定義多個疊加目標,所述多個疊加目標包括:第一目標特征,其形成于所述第一薄膜層中具有隔開第一標稱距離的相應第一位置;及第二目標特征,其形成于所述第二薄膜層中具有隔開與所述第一標稱距離不同的第二標稱距離的相應第二位置。處理所述半導體襯底的圖像以測量所述疊加目標中的每一者中的所述第一目標位置與所述第二目標位置之間的相應位移,且估計所述第一薄膜層與所述第二薄膜層的所述圖案化之間的實際疊加誤差及成像組合件的測量誤差兩者。

本發明授權用于改進疊加誤差計量的感應位移在權利要求書中公布了:1.一種用于半導體計量的方法,其包括:將第一薄膜層沉積在半導體襯底上并沉積上覆所述第一薄膜層的第二薄膜層;圖案化所述第一薄膜層及所述第二薄膜層以定義多個疊加目標,所述多個疊加目標包括:第一目標特征,其形成于所述第一薄膜層中具有隔開第一標稱距離的相應第一位置;及第二目標特征,其形成于所述第二薄膜層中具有隔開與所述第一標稱距離不同的第二標稱距離的相應第二位置,每一第二目標特征上覆相應第一目標特征以定義所述疊加目標中的相應者;使用成像組合件捕獲已在其上形成所述疊加目標的所述半導體襯底的至少一個圖像;處理所述至少一個圖像以測量所述疊加目標中的每一者中的所述相應第一位置與所述第二位置之間的位移;及基于經測量位移及所述第一標稱距離及所述第二標稱距離,估計所述第一薄膜層與所述第二薄膜層的所述圖案化之間的實際疊加誤差及所述成像組合件的測量誤差兩者。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人科磊股份有限公司,其通訊地址為:美國加利福尼亞州;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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