恭喜中國電子科技集團公司第十三研究所張韶華獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中國電子科技集團公司第十三研究所申請的專利凋零模式結構微機械濾波器獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114094979B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202111306761.6,技術領域涉及:H03H9/46;該發明授權凋零模式結構微機械濾波器是由張韶華;王勝福;李宏軍;周少波;周明齊;孫濤;朱毅凡;于亮;汪曉龍;王小維;湯曉東;張俊杰;溫鵬浩;齊明巖;岳曉平設計研發完成,并于2021-11-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本凋零模式結構微機械濾波器在說明書摘要公布了:本發明提供了一種凋零模式結構微機械濾波器,屬于半導體封裝技術領域,包括上介質層以及下介質層,上介質層設有上層接地金屬化通孔、信號饋入部分和信號饋出部分;下介質層鍵合于上介質層的下面,下介質層設有下層接地金屬化通孔和下層電磁屏蔽金屬化通孔,下層電磁屏蔽金屬化通孔作為凋零模式諧振柱;信號饋入部分和信號饋出部分與凋零模式諧振柱之間不通過物理連通;上介質層和下介質層通過上層接地金屬化通孔和下層接地金屬化通孔實現共地。本發明將凋零模式結構與微機械濾波器相結合,將MEMS工藝應用到凋零模式結構中,并將諧振耦合結構進行變形和重構,具備窄帶寬和超寬帶全面覆蓋、體積小、相位一致性高、諧波抑制遠、Q值高的特點。
本發明授權凋零模式結構微機械濾波器在權利要求書中公布了:1.一種凋零模式結構微機械濾波器,其特征在于,包括:上介質層1,設有上層接地金屬化通孔14、信號饋入部分111和信號饋出部分113;以及下介質層2,層疊且鍵合于所述上介質層1的下面,所述下介質層2設有下層接地金屬化通孔24和下層電磁屏蔽金屬化通孔,所述下層電磁屏蔽金屬化通孔作為凋零模式諧振柱25;所述信號饋入部分111和所述信號饋出部分113與所述凋零模式諧振柱25之間不通過物理連通;所述上介質層1和所述下介質層2通過所述上層接地金屬化通孔14和所述下層接地金屬化通孔24實現共地;微波信號沿位于所述上介質層1的所述信號饋入部分111輸入,經所述下介質層的所述凋零模式諧振柱25諧振濾波,再從所述上介質層1的所述信號饋出部分113傳出;所述上介質層1包括上層晶圓硅片12以及設于其上表面和下表面的上層上表面金屬化圖形11和上層下表面金屬化圖形13,所述上層上表面金屬化圖形11包括所述信號饋入部分111、屏蔽金屬層112和所述信號饋出部分113,所述屏蔽金屬層112連接于所述信號饋入部分111和信號饋出部分113之間;所述上層下表面金屬化圖形13包括上層下表面電磁屏蔽金屬化框131及與所述上層下表面電磁屏蔽金屬化框131隔離設置的上層下表面容性加載片132;所述上層接地金屬化通孔14貫穿所述上層晶圓硅片12、所述上層上表面金屬化圖形11和所述上層下表面金屬化圖形13;所述下介質層2包括下層晶圓硅片22以及設置于其上表面和下表面的下層上表面金屬化圖形21和下層下表面金屬化圖形23,所述下層上表面金屬化圖形21包括下層上表面電磁屏蔽金屬化框211以及與所述下層上表面電磁屏蔽金屬化框211隔離的下層上表面容性加載片212;所述上層下表面電磁屏蔽金屬化框131匹配所述下層上表面電磁屏蔽金屬化框211,所述上層下表面容性加載片132匹配所述下層上表面容性加載片212,所述下層上表面金屬化圖形21與所述上層下表面金屬化圖形13鍵合,以使所述上介質層1與所述下介質層2實現鍵合;所述下層接地金屬化通孔24和所述凋零模式諧振柱25均貫穿所述下層晶圓硅片22、所述下層上表面金屬化圖形21和所述下層下表面金屬化圖形23。
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