買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜福建省晉華集成電路有限公司申請的專利一種電容結構制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114171680B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111476208.7，技術領域涉及：H10D1/68；該發明授權一種電容結構制備方法是由張正國;鄭存閔;蔡佩庭;林剛毅;李武祥;林毓純;范培杰;陳筍弘設計研發完成，并于2021-12-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種電容結構制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種電容結構制備方法，通過在基底上沉積包括第一介電層、第一支撐層、第二介電層、第二支撐層以及呈預設圖案的阻擋層的堆疊結構，在堆疊結構中刻蝕出多個開口，其中開口的底部顯露出位于基底中的電連接墊，沉積覆蓋呈預設圖案的阻擋層的頂表面以及開口的側壁和底表面的導電層，刻蝕至少部分導電層形成下電極，下電極的頂表面至基底的第一距離小于第二支撐層的頂表面至基底的第二距離，去除第一介電層、第二介電層和呈預設圖案的阻擋層，形成至少覆蓋下電極的電容介電層以及上電極。該方法在對導電層進行回刻蝕以形成下電極時，阻擋層可以避免對用于支撐下電極頂部的第二支撐層進行過刻蝕，從而有利于保證整個電容結構的穩定性。

本發明授權一種電容結構制備方法在權利要求書中公布了：1.一種電容結構制備方法，其特征在于，包括：在基底上形成堆疊結構，所述堆疊結構包括在所述基底上依次沉積的第一介電層、第一支撐層、第二介電層、第二支撐層以及呈預設圖案的阻擋層；以所述呈預設圖案的阻擋層為掩模，在所述堆疊結構中刻蝕出多個開口，其中所述開口的底部顯露出位于所述基底中的電連接墊；沉積導電層，所述導電層覆蓋所述呈預設圖案的阻擋層的頂表面以及所述開口的側壁和底表面；刻蝕至少部分所述導電層，以形成下電極，所述下電極的頂表面至所述基底的第一距離小于所述第二支撐層的頂表面至所述基底的第二距離；去除所述第一介電層、第二介電層和所述呈預設圖案的阻擋層；形成至少覆蓋所述下電極的電容介電層以及上電極；所述刻蝕至少部分所述導電層，以形成下電極之前，所述方法還包括：沉積保護層，所述保護層至少覆蓋位于所述開口的側壁和底表面上的所述導電層；刻蝕部分所述保護層和部分所述導電層，以形成下電極，其中，刻蝕后所述保護層的頂表面距所述基底的第三距離小于所述第二支撐層的底表面至所述基底的第四距離；去除剩余的所述保護層；所述保護層中具有孔隙結構；所述孔隙結構位于保護層中靠近所述下電極的底表面的區域。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人福建省晉華集成電路有限公司，其通訊地址為：362200 福建省泉州市晉江市集成電路科學園聯華大道88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。