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龍圖騰網恭喜深圳市金譽半導體股份有限公司申請的專利一種電源電路封裝結構及其封裝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114361055B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111671525.4，技術領域涉及：H01L21/60；該發明授權一種電源電路封裝結構及其封裝方法是由顧嵐雁;林河北;梅小杰;解維虎;陳永金設計研發完成，并于2021-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種電源電路封裝結構及其封裝方法在說明書摘要公布了：本發明公開電源電路封裝結構，包括塑封體、塑封體上的IC控制芯片、IC控制芯片兩側的第一金屬基島、第二金屬基島、連接IC控制芯片和第一金屬基島的MOS開關芯片，MOS開關芯片上設置第一聚酰亞胺層，IC控制芯片設置第二聚酰亞胺層，MOS開關芯片設置第一聚酰亞胺層的第一銅柱、與第一銅柱垂直并與第一金屬基島貼合的第一銅塊，第一金屬基島向外延伸的第一引腳，貫穿第一聚酰亞胺層和第二聚酰亞胺層的第二銅柱和第二銅塊，IC控制芯片上設置有位于第二銅柱之間第三銅柱、與第三銅柱垂直并與第二金屬基島貼合的第三銅塊，第二金屬基島連接有向外延伸的第二引腳。本發明還提供電源電路封裝方法，大大降低功耗并提高了工作頻率。

本發明授權一種電源電路封裝結構及其封裝方法在權利要求書中公布了：1.一種電源電路封裝結構，其特征在于，包括塑封體、位于所述塑封體上的IC控制芯片、位于所述IC控制芯片兩側的第一金屬基島、與所述IC控制芯片連接的第二金屬基島、連接所述IC控制芯片和所述第一金屬基島的MOS開關芯片，所述MOS開關芯片上表面設置有第一聚酰亞胺層，所述IC控制芯片下表面設置有第二聚酰亞胺層，所述MOS開關芯片的一側設置有貫穿所述第一聚酰亞胺層并間隔排列的第一銅柱、與所述第一銅柱垂直并與所述第一金屬基島的第一端面貼合的第一銅塊，所述第一金屬基島的第二端面向外延伸的第一引腳，所述MOS開關芯片的另一側設置有分別貫穿所述第一聚酰亞胺層和所述第二聚酰亞胺層并間隔排列的第二銅柱、與所述第二銅柱垂直并位于所述第一聚酰亞胺層和所述第二聚酰亞胺層之間的第二銅塊，所述IC控制芯片上設置有位于所述第二銅柱之間并貫穿所述第二聚酰亞胺層的第三銅柱、與所述第三銅柱垂直并與所述第二金屬基島的一端貼合的第三銅塊，所述第二金屬基島的另一端連接有向外延伸的第二引腳。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳市金譽半導體股份有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市龍華區大浪街道浪口社區華昌路315號1層(華昌路工業區14棟1-3層,17棟1-3層)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。