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龍圖騰網恭喜福建晶旭半導體科技有限公司申請的專利一種BAW濾波器結構及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114499450B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210044126.3，技術領域涉及：H03H9/17；該發明授權一種BAW濾波器結構及制備方法是由王鋼;涂雨佳;盧星;陳梓敏設計研發完成，并于2022-01-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種BAW濾波器結構及制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種BAW濾波器結構及制備方法，涉及射頻濾波技術。針對現有技術中應力問題導致不能工業化生產而提出本方案，將相互獨立的壓電薄膜單元生成于外延襯底表面得到轉移結構體；在支撐襯底上設置諧振區域并覆蓋鍵合單元得到鍵合結構體；將轉移結構體上下表面翻轉，令底電極單元與諧振區域一一對應鍵合得到BAW結構體；去除外延襯底，在壓電薄膜單元原本與外延襯底接觸的表面生成頂電極單元。優點在于，因為結構簡單、工藝簡單、隔離度高、應力問題極小，使在批量生產的時候實現成本低、效率高、良率高，適合應用于工業化生產中，以及尤其適用于單晶薄膜器件的工業化制作。

本發明授權一種BAW濾波器結構及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種BAW濾波器結構的制備方法，其特征在于，包括：制作轉移結構體100的步驟：在外延襯底110上沉積壓電薄膜120、底電極單元131，對底電極單元131進行圖形化處理，然后刻蝕壓電薄膜120直至露出外延襯底110，形成兩個以上相互獨立的壓電薄膜單元121，得到轉移結構體100；其中，壓電薄膜單元121上一一對應設置有底電極單元131；制作鍵合結構體200的步驟：在支撐襯底210上設置兩個以上互相獨立的諧振區域，分別在各諧振區域上覆蓋鍵合單元231，根據圖形化設計按需將鍵合單元231電性互聯，得到鍵合結構體200；各諧振區域位置與各壓電薄膜單元121位置分別軸對稱；轉移鍵合的步驟：將轉移結構體100上下表面翻轉，令底電極單元131與諧振區域一一對應鍵合得到BAW結構體300；去除外延襯底110，在壓電薄膜單元121原本與外延襯底110接觸的表面生成頂電極單元141。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人福建晶旭半導體科技有限公司，其通訊地址為：364000 福建省龍巖市上杭縣臨城鎮黃竹村工業區沿河路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。