買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)恭喜上海交通大學(xué)申請的專利一種二維過渡金屬硫族化合物及其制備和應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115537920B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211345215.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C30B25/18；該發(fā)明授權(quán)一種二維過渡金屬硫族化合物及其制備和應(yīng)用是由胡志宇;張帥;吳振華;羅思遠;劉澤昆;劉妍;施慧烈;傅理夫設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-10-31向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種二維過渡金屬硫族化合物及其制備和應(yīng)用在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種二維過渡金屬硫族化合物及其制備和應(yīng)用，利用硫族單質(zhì)和過渡金屬單質(zhì)作為靶源，通過分子束外延技術(shù)，結(jié)合分步蒸發(fā)和后蒸發(fā)的策略，在襯底上進行氣相沉積，從而得到高質(zhì)量，大尺寸的二維過渡金屬硫族化合物薄膜材料。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明制備得到的薄膜形貌為少層平面結(jié)構(gòu)、多層納米棒結(jié)構(gòu)或者多層納米管結(jié)構(gòu)，整個方法簡單，高效，產(chǎn)物質(zhì)量高，在高性能微納器件、場效應(yīng)晶體管、光電探測和集成電路等領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用前景。

本發(fā)明授權(quán)一種二維過渡金屬硫族化合物及其制備和應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種二維過渡金屬硫族化合物的制備方法，其特征在于，所述二維過渡金屬硫族化合物用于可見光-太赫茲的超寬譜高效探測的光電探測器領(lǐng)域中；所述二維過渡金屬硫族化合物為硒化鈀，呈多層納米棒結(jié)構(gòu)或者多層納米管結(jié)構(gòu)；所述二維過渡金屬硫族化合物的制備方法包括以下步驟：選用三寸硅片作為襯底，并用氫氟酸，丙酮，去離子水洗去襯底表面污漬，將襯底在100℃條件下真空退火12h；將襯底固定在基底上，并置于分子束外延設(shè)備真空腔體內(nèi)，將高純硫族單質(zhì)硒置于第一束源爐中，將高純過渡金屬單質(zhì)鈀置于第二束源爐中；對分子束外延設(shè)備腔體進行多級抽真空處理，使得本體真空度達到10-8pa；設(shè)置基底溫度500℃，基底旋轉(zhuǎn)速度為0radmin；使用分步蒸發(fā)法沉積薄膜，首先關(guān)閉第一束源爐，打開第二束源爐，設(shè)置第二束源爐的溫度1157℃，沉積速度為沉積時間40min，得到鈀層，然后關(guān)閉第二束源爐，打開第一束源爐，設(shè)置第一束源爐的溫度125℃，沉積速度為沉積時間60min，硒原子插入鈀原子之間形成過渡金屬硫族化合物硒化鈀；使用后蒸發(fā)法處理上述形成的薄膜，關(guān)閉第二束源爐，打開第一束源爐，設(shè)置第一束源爐的溫度125℃，沉積速度為或沉積時間90min或200min；關(guān)閉第一束源爐和第二束源爐，對上述薄膜進行熱退火處理，將基底溫度降至400℃，保溫60min，繼續(xù)降至300℃，保溫60min，隨后降至室溫。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人上海交通大學(xué)，其通訊地址為：200240 上海市閔行區(qū)東川路800號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。