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龍圖騰網(wǎng)恭喜南京大學(xué)申請(qǐng)的專利一種具有κ-Ga₂O₃/Al₂O₃復(fù)合鐵電介質(zhì)層的負(fù)電容晶體管及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119230597B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202411759891.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/68；該發(fā)明授權(quán)一種具有κ-Ga₂O₃/Al₂O₃復(fù)合鐵電介質(zhì)層的負(fù)電容晶體管及其制備方法是由葉建東;許軻;萬昌錦;雒玉蓉;李展華;任芳芳;顧書林;張榮設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-12-03向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種具有κ-Ga₂O₃/Al₂O₃復(fù)合鐵電介質(zhì)層的負(fù)電容晶體管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種具有κ?Ga2O3Al2O3復(fù)合鐵電介質(zhì)層的負(fù)電容晶體管及其制備方法。本發(fā)明的負(fù)電容晶體管包括從下至上依次設(shè)置的襯底，GaN緩沖層，UID?GaN溝道層，Al0.25Ga0.75N勢(shì)壘層，以及設(shè)置在Al0.25Ga0.75N勢(shì)壘層上的源電極、漏電極和柵極，以及設(shè)置在柵極和Al0.25Ga0.75N勢(shì)壘層之間的κ?Ga2O3Al2O3復(fù)合鐵電介質(zhì)層。本發(fā)明的負(fù)電容晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)易失性與非易失性存儲(chǔ)的結(jié)合，從而在保證高速數(shù)據(jù)處理能力的同時(shí)，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性與斷電后的數(shù)據(jù)保存可靠性，為全儲(chǔ)備池的應(yīng)用提供高效的數(shù)據(jù)管理支持。

本發(fā)明授權(quán)一種具有κ-Ga₂O₃/Al₂O₃復(fù)合鐵電介質(zhì)層的負(fù)電容晶體管及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種具有κ-Ga2O3Al2O3復(fù)合鐵電介質(zhì)層的負(fù)電容晶體管，所述負(fù)電容晶體管包括從下至上依次設(shè)置的襯底（1），GaN緩沖層（2），UID-GaN溝道層（3），Al0.25Ga0.75N勢(shì)壘層（4），和劃定在Al0.25Ga0.75N勢(shì)壘層（4）表面的源電極區(qū)域、漏電極區(qū)域以及柵極區(qū)域，以及設(shè)置在源電極區(qū)域的源電極（5）、設(shè)置在漏電極區(qū)域的漏電極（6）和設(shè)置在柵極區(qū)域的柵極（7）；所述UID-GaN溝道層（3）與Al0.25Ga0.75N勢(shì)壘層（4）的接觸面形成二維電子氣溝道2DEG；其特征在于：所述負(fù)電容晶體管還包括設(shè)置在柵極（7）和Al0.25Ga0.75N勢(shì)壘層（4）之間的κ-Ga2O3Al2O3復(fù)合鐵電介質(zhì)層（8）；所述κ-Ga2O3Al2O3復(fù)合鐵電介質(zhì)層（8）包括從下至上依次設(shè)置在Al0.25Ga0.75N勢(shì)壘層（4）表面的κ-Ga2O3鐵電層（9）和Al2O3絕緣層（10），所述κ-Ga2O3鐵電層（9）的材質(zhì)為κ-Ga2O3，所述Al2O3絕緣層（10）的材質(zhì)為Al2O3。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人南京大學(xué)，其通訊地址為：210023 江蘇省南京市棲霞區(qū)仙林大道163號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。