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龍圖騰網(wǎng)恭喜通威微電子有限公司申請的專利一種MOSFET元胞結(jié)構(gòu)及其制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119562576B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510105788.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)一種MOSFET元胞結(jié)構(gòu)及其制作方法是由李大龍設計研發(fā)完成，并于2025-01-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種MOSFET元胞結(jié)構(gòu)及其制作方法在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┝艘环NMOSFET元胞結(jié)構(gòu)及其制作方法，涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域。包括N型襯底；位于襯底表面的N型外延層；位于外延層表面的第一JFET區(qū)與第二JFET區(qū)以及P型屏蔽層，P型屏蔽層與第一JFET區(qū)、第二JFET區(qū)的交界面設置為傾斜結(jié)構(gòu)；位于第一JFET區(qū)頂部的第一柵氧層與第一柵極多晶硅層，位于第二JFET區(qū)頂部的第二柵氧層與第二柵極多晶硅層；位于第一柵氧層與第二柵氧層底部拐角處的電流通道拓展層；位于第一柵氧層與第二柵氧層側(cè)邊的第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)、第三摻雜區(qū)以及第四摻雜區(qū)。本申請具有減少溝槽柵拐角位置氧化層承受的電應力，降低柵氧失效概率，以及大幅提高器件可靠性與魯棒性的優(yōu)點。

本發(fā)明授權(quán)一種MOSFET元胞結(jié)構(gòu)及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種MOSFET元胞結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述MOSFET元胞結(jié)構(gòu)包括：N型襯底；位于所述襯底表面的N型外延層；位于所述外延層表面的第一JFET區(qū)與第二JFET區(qū)以及P型屏蔽層，所述第一JFET區(qū)與所述第二JFET區(qū)間隔設置，所述第一JFET區(qū)與所述第二JFET區(qū)均為N型；所述P型屏蔽層與所述第一JFET區(qū)、所述第二JFET區(qū)的交界面設置為傾斜結(jié)構(gòu)；位于所述第一JFET區(qū)頂部的第一柵氧層與第一柵極多晶硅層，所述第一柵氧層包裹所述第一柵極多晶硅層設置；位于所述第二JFET區(qū)頂部的第二柵氧層與第二柵極多晶硅層，所述第二柵氧層包裹所述第二柵極多晶硅層設置；位于所述第一柵氧層與所述第二柵氧層底部拐角處的電流通道拓展層，其中，部分所述電流通道拓展層位于所述第一JFET區(qū)與第二JFET區(qū)的表面，另一部分所述電流通道拓展層位于所述第一柵氧層的側(cè)壁，電流通道拓展層為N型摻雜；位于所述第一柵氧層與所述第二柵氧層側(cè)邊的第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)、第三摻雜區(qū)以及第四摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)、所述第二摻雜區(qū)以及所述第三摻雜區(qū)沿遠離襯底的方向逐層設置并形成整體，所述整體的一側(cè)與所述第一柵氧層或第二柵氧層接觸，所述整體的另一側(cè)與所述第四摻雜區(qū)接觸，所述第四摻雜區(qū)的厚度大于或等于所述第一摻雜區(qū)、所述第二摻雜區(qū)以及所述第三摻雜區(qū)的厚度之和，所述第一摻雜區(qū)與所述第三摻雜區(qū)為N型，所述第二摻雜區(qū)與所述第四摻雜區(qū)為P型；位于所述第一柵極多晶硅層、所述第一柵氧層以及部分所述第三摻雜區(qū)表面的第一介質(zhì)層，位于所述第二柵極多晶硅層、所述第二柵氧層以及部分所述第三摻雜區(qū)表面的第二介質(zhì)層；位于表面的第一金屬層以及位于所述襯底背面的第二金屬層。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人通威微電子有限公司，其通訊地址為：610299 四川省成都市雙流區(qū)成都芯谷產(chǎn)業(yè)園區(qū)集中區(qū)內(nèi)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。