恭喜中國計量大學(xué)劉天宇獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜中國計量大學(xué)申請的專利一種摻雜稀土離子的氟化物閃爍晶體及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN119736089B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202510244920.6,技術(shù)領(lǐng)域涉及:C09K11/85;該發(fā)明授權(quán)一種摻雜稀土離子的氟化物閃爍晶體及其制備方法是由劉天宇;雷磊;婁開成;周謖;鄧德剛;徐時清設(shè)計研發(fā)完成,并于2025-03-04向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種摻雜稀土離子的氟化物閃爍晶體及其制備方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明涉及閃爍晶體技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種摻雜稀土離子的氟化物閃爍晶體及其制備方法,閃爍晶體化學(xué)通式為:NaLuF4:GdKXz@NaSc0.2Lu0.8F4;核為NaLuF4:GdKXz,殼層為NaSc0.2Lu0.8F4;其中X為Tb3+,Sm3+,Pr3+或Dy3+離子中的一種。制備核納米晶的過程中,加入過量的鉀源,使得K+離子進入基質(zhì)晶格的間隙中形成缺陷態(tài)能級,提高二次電子到稀土激活離子的能量傳遞效率。本發(fā)明能夠提高離子激發(fā)態(tài)能級的能量傳遞效率,共同增強稀土激活離子的閃爍性能,提高發(fā)光效率,降低無輻射弛豫幾率。
本發(fā)明授權(quán)一種摻雜稀土離子的氟化物閃爍晶體及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種摻雜稀土離子的氟化物閃爍晶體,其特征在于,化學(xué)組成通式為:NaLuF4:GdKXz@NaSc0.2Lu0.8F4;核為NaLuF4:GdKXz,殼層為NaSc0.2Lu0.8F4;其中X為Tb3+,Sm3+,Pr3+或Dy3+離子中的一種;z為X的摩爾含量,0.1≤z≤0.2。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人中國計量大學(xué),其通訊地址為:310018 浙江省杭州市錢塘區(qū)下沙高教園區(qū)學(xué)源街258號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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