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龍圖騰網恭喜微玖(蘇州)光電科技有限公司申請的專利一種具有ITO緩沖層的Micro LED臺面及其刻蝕均勻性制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119767887B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510252411.8，技術領域涉及：H10H20/81；該發明授權一種具有ITO緩沖層的Micro LED臺面及其刻蝕均勻性制備方法是由余鹿鳴;王月;張宇;黃振;王程功;鄭鵬遠設計研發完成，并于2025-03-05向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種具有ITO緩沖層的Micro LED臺面及其刻蝕均勻性制備方法在說明書摘要公布了：一種具有ITO緩沖層的MicroLED臺面及其刻蝕均勻性制備方法，屬于半導體器件及其加工工藝技術領域。本發明對原有工藝流程進行改進，使用ITO層作為ICP刻蝕緩沖層，在MicroLED臺面刻蝕時速率按照晶圓中較快刻蝕速率的部分進行刻蝕，并進一步過刻以確保外延層刻透。本發明使用ITO作為緩沖層保護下層結構，再使用濕法腐蝕或物理刻蝕的手段去除多余緩沖層，以消除刻蝕不均勻產生的影響。進一步的，由于ITO緩沖層導電性良好，因此可以改善芯片的電流擴展效果、提升芯片亮度；以解決目前在MicroLED臺面刻蝕工藝中，對晶圓整體而言刻蝕速率不均勻的問題，實現MicroLED芯片的良率優化。

本發明授權一種具有ITO緩沖層的Micro LED臺面及其刻蝕均勻性制備方法在權利要求書中公布了：1.一種具有ITO緩沖層的MicroLED臺面，其特征在于：從下至上，由襯底、鍵合金屬層、下ITO緩沖層、剝離GaAs襯底的外延層和上ITO緩沖層組成，其中，鍵合金屬層由下鍵合金屬層和上鍵合金屬層兩部分組成，下鍵合金屬層由200~400nm厚的Cr、200~400nm厚的Pt和100~300nm厚的Au組成，上鍵合金屬層由100~300nm厚的Au、200~400nm厚的Pt和200~400nm厚的Cr組成；剝離GaAs襯底的外延層由200~400nm厚的P型AlInP層、80~120nm厚的AlGaInP有源區和200~400nm厚的N型AlInP層組成；下ITO緩沖層的厚度為100~200nm，上ITO緩沖層的厚度為100~200nm；具有ITO緩沖層的Micro-LED臺面的上底直徑為2~3μm，下底直徑為3~5μm，臺面中心的間距為3.5~4.5μm。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人微玖(蘇州)光電科技有限公司，其通訊地址為：215127 江蘇省蘇州市蘇州工業園區雙溇里路3號傳奇大廈1樓101室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。