恭喜武漢國科光領半導體科技有限公司趙自闖獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜武漢國科光領半導體科技有限公司申請的專利一種分布反饋激光器及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119787087B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510278010.X，技術領域涉及：H01S5/125；該發明授權一種分布反饋激光器及其制作方法是由趙自闖;蔣晨龍設計研發完成，并于2025-03-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種分布反饋激光器及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種分布反饋激光器及其制作方法，該方法包括：在襯底上生長緩沖層；在所述緩沖層上制作多個間距相等、寬度相同的條形介質掩膜圖形；在各個所述條形介質掩膜圖形以外的緩沖層上利用MOCVD生長有源材料，形成有源層；去除所述緩沖層上所有的條形介質掩膜圖形；在所述有源層和去除條形介質掩膜圖形后的緩沖層上依次疊層生長間隔層、腐蝕停止層、包層和接觸層；在所述包層上制作脊波導。本發明通過介質掩模圖形在有源材料中形成周期性的光柵結構，可用低成本的接觸光刻技術制作，以降低單縱模半導體激光器的制造成本，有助于推動單縱模半導體激光器的大規模應用。
本發明授權一種分布反饋激光器及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種分布反饋激光器的制作方法，其特征在于，包括：在襯底上生長緩沖層；在所述緩沖層上制作多個間距相等、寬度相同的條形介質掩膜圖形；在各個所述條形介質掩膜圖形以外的緩沖層上利用MOCVD生長有源材料，形成有源層；去除所述緩沖層上所有的條形介質掩膜圖形；在所述有源層和去除條形介質掩膜圖形后的緩沖層上依次疊層生長間隔層、腐蝕停止層、包層和接觸層；在所述包層上制作脊波導。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人武漢國科光領半導體科技有限公司，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區流芳園橫路1號楚天傳媒生產基地二期1號樓1-2層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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