恭喜朗姆研究公司丹尼斯·豪斯曼獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜朗姆研究公司申請的專利使用水解的選擇性沉積獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112005343B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980027453.4，技術領域涉及：H01L21/285；該發明授權使用水解的選擇性沉積是由丹尼斯·豪斯曼;保羅·萊曼利設計研發完成，并于2019-03-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本使用水解的選擇性沉積在說明書摘要公布了：提供了用于相對于電介質表面在金屬表面上選擇性沉積金屬氧化物的方法和設備。選擇性沉積是通過以下方式來實現的：將金屬和電介質表面暴露于能夠與金屬形成可水解鍵同時與電介質形成不可水解鍵的阻斷劑，然后將其表面浸漬在水中以裂解可水解鍵，并在電介質表面上留下阻斷表面，接著相對于電介質表面在金屬表面上選擇性地沉積金屬氧化物。阻斷劑通過濕式或干式技術沉積，并且可以包括例如烷基氨基硅烷或烷基氯硅烷。
本發明授權使用水解的選擇性沉積在權利要求書中公布了：1.一種在襯底上相對于介電材料在暴露的金屬表面上選擇性沉積金屬氧化物的方法，所述方法包含：a提供包括所述介電材料和所述暴露的金屬表面的所述襯底；b在沉積所述金屬氧化物前，將所述襯底暴露于阻斷劑，以將所述阻斷劑非選擇性地吸附在所述介電材料和所述暴露的金屬表面兩者上，其中所述阻斷劑與所述暴露的金屬表面形成可水解鍵，但不與所述介電材料形成可水解鍵；c在將所述襯底暴露于所述阻斷劑之后，且在沉積所述金屬氧化物之前，將所述阻斷劑從所述暴露的金屬表面選擇性地移除；以及d在所述襯底上相對于所述介電材料而在所述暴露的金屬表面上選擇性地沉積所述金屬氧化物。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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