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龍圖騰網恭喜漢民科技股份有限公司申請的專利側向擾流式感應耦合等離子體蝕刻機的制造方法及其結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112863982B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911101557.3，技術領域涉及：H01J37/32；該發明授權側向擾流式感應耦合等離子體蝕刻機的制造方法及其結構是由林志隆;蔡兆哲;陳俊龍設計研發完成，并于2019-11-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本側向擾流式感應耦合等離子體蝕刻機的制造方法及其結構在說明書摘要公布了：本發明公開了一種側向擾流式感應耦合等離子體蝕刻機的制造方法及其結構，其中制造方法包括：提供第一腔體；提供第二腔體，形成于第一腔體的下方且相連通；設置至少一個第一進氣口在第一反應腔室的頂面；設置至少一個第二進氣口在第一反應腔室的外圍且位于第二腔體頂面；以及多個第三進氣口，在第二反應腔室的側壁上且高于晶圓片頂面的位置。借由本發明的實施，可以改善氣體分流效果不佳的情況，有效的調整氣體分流，達到改變晶圓表面蝕刻率分布及提升外圍濃度的功效。

本發明授權側向擾流式感應耦合等離子體蝕刻機的制造方法及其結構在權利要求書中公布了：1.一種側向擾流式感應耦合等離子體蝕刻機的制造方法，其特征在于，包括：提供第一腔體，其具有第一反應腔室；提供第一線圈，其環繞設置于該第一腔體的外圍；提供第二腔體，其具有第二反應腔室，該第二腔體形成于該第一腔體的下方，且該第二反應腔室與該第一反應腔室相連通；提供第二線圈，其環繞設置于該第二腔體的外圍；設置至少一個第一進氣口，其形成于該第一反應腔室的頂面，又該第一進氣口輸入第一氣流，在該第一反應腔室及該第二反應腔室的等離子體反應區形成氣體反應物氣團，用以覆蓋晶圓片；設置至少一個第二進氣口，其形成于該第一反應腔室的外圍且位于該第二腔體頂面的位置，又該第二進氣口輸入第二氣流，用以通過該氣體反應物氣團的邊緣區域；設置多個第三進氣口，其形成于該第二反應腔室的側壁上且高于該晶圓片頂面的位置，又該第三進氣口輸入第三氣流，用以使該第二氣流產生擾流，以增加該氣體反應物氣團的邊緣的氣體反應物分子濃度；以及設置至少一個出氣口，其與該第二反應腔室相連通且形成于該晶圓片下方的位置。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人漢民科技股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣臺北市大安區敦化南路2段38號14樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。