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恭喜蘇州鍇威特半導體股份有限公司張勝獲國家專利權

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龍圖騰網恭喜蘇州鍇威特半導體股份有限公司申請的專利一種柵極氧化層燒寫電路以及燒寫方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN112511141B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202011402055.7,技術領域涉及:H03K17/08;該發明授權一種柵極氧化層燒寫電路以及燒寫方法是由張勝;涂才根;譚在超;丁國華;羅寅設計研發完成,并于2020-12-04向國家知識產權局提交的專利申請。

一種柵極氧化層燒寫電路以及燒寫方法在說明書摘要公布了:本發明涉及一種柵極氧化層燒寫電路,所述燒寫電路包括高耐壓PMOS管HP1、高耐壓NMOS管HN1和HN2、低耐壓NMOS管LN1和LN2、高壓電源VH和低壓電源VL,所述高壓電源VH連接高耐壓PMOS管HP1的漏極,高耐壓PMOS管HP1的源極連接高耐壓NMOS管HN1的漏極,高耐壓NMOS管HN1的漏極接地,低耐壓NMOS管LN1和LN2之間連接高耐壓NMOS管HN2;該技術方案既可以在芯片封裝后進行,使得封裝對芯片的影響可以得到修正。同時利用本專利方法設計的電路,其芯片面積可以做的非常小,生產成本低。

本發明授權一種柵極氧化層燒寫電路以及燒寫方法在權利要求書中公布了:1.一種柵極氧化層燒寫電路,其特征在于,所述燒寫電路包括高耐壓PMOS管HP1、高耐壓NMOS管HN1和HN2、低耐壓NMOS管LN1和LN2、高壓電源VH和低壓電源VL,所述高壓電源VH連接高耐壓PMOS管HP1的漏極,高耐壓PMOS管HP1的源極連接高耐壓NMOS管HN1的漏極,高耐壓NMOS管HN1的漏極接地,低耐壓NMOS管LN1和LN2之間連接高耐壓NMOS管HN2;所述HP1為高耐壓PMOS管,HN1和HN2為高耐壓NMOS管,LN1和LN2為低耐壓NMOS管,高耐壓MOS管的擊穿電壓超過低耐壓MOS管擊穿電壓的3倍以上;高壓電源VH的電壓值等于低耐壓MOS管擊穿電壓的2倍,低壓電源VL的電壓值等于低耐壓MOS管的正常工作電壓,低于低耐壓MOS管的擊穿電壓;所電流源I1為低壓電源VL上的1uA電流源;其特征在于,極氧化層燒寫電路的燒寫方法包括以下步驟:步驟一:燒寫過程:在對電路進行燒寫時,高壓電源VH的電壓值等于低耐壓MOS管擊穿電壓的2倍,低壓電源VL的電壓值等于低耐壓MOS管的正常工作電壓,低于低耐壓MOS管的擊穿電壓,高耐壓PMOS管HP1導通,高耐壓NMOS管HN1關斷,所以低耐壓NMOS管LN1柵極的電壓約等于高壓電源VH,低耐壓NMOS管LN2導通,所以低耐壓NMOS管LN2的漏極電壓和高耐壓NMOS管HN2的源極電壓約為0;要對本單元進行燒寫,使高耐壓NMOS管HN2導通,則HN2的漏極電壓降為0,即低耐壓NMOS管LN1的源極、漏極和襯底的電壓也降為0,于是低耐壓NMOS管LN1的柵極氧化層上將承受高壓電源VH,高壓電源VH的電壓值達到低耐壓NMOS管LN1的柵極氧化層擊穿電壓的2倍,所以LN1的柵極氧化層將被擊穿,并產生漏電流,漏電流約為0.1mA;不對本單元進行燒寫,使高耐壓NMOS管HN2關斷,則HN2的漏極電壓為高壓電源VH,即低耐壓NMOS管LN1的源極、漏極和襯底的電壓為高壓電源VH,于是低耐壓NMOS管LN1的柵極氧化層上承受的電壓為0,低耐壓NMOS管LN1的柵極氧化層不會被擊穿,所以LN1的柵極氧化層不會產生漏電流;步驟二:讀取過程:在對電路進行讀取時,高壓電源VH的電壓值等于電路正常工作時的電壓,低壓電源VL的電壓值等于低耐壓MOS管的正常工作電壓,低于低耐壓MOS管的擊穿電壓,高耐壓PMOS管HP1關斷,高耐壓NMOS管HN1導通,所以低耐壓NMOS管LN1柵極的電壓約等于0,低耐壓NMOS管LN2關斷,高耐壓NMOS管HN2導通;本單元已被燒寫時,則低耐壓NMOS管LN1的柵極氧化層存在漏電,導通電阻為10KΩ~100KΩ,考慮到電流源I1的電流為1uA,所以低耐壓NMOS管LN1的源極、漏極和襯底的電壓為10mV~100mV,通過Read端口將該電壓讀取后被判斷為低電平;本單元未被燒寫時,則低耐壓NMOS管LN1的柵極氧化層不存在漏電,導通電阻為無窮大,所以低耐壓NMOS管LN1的源極、漏極和襯底的電壓將被電流源I1拉升到接近于低壓電源VL的電壓,通過Read端口將低壓電源VL的電壓讀取后被判斷為高電平。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州鍇威特半導體股份有限公司,其通訊地址為:215600 江蘇省蘇州市張家港市沙洲湖科技創新園A-1幢9層;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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