買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜合肥硅臻芯片技術有限公司申請的專利一種時間相位量子密鑰分發系統及其發射端結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114978348B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210060763.X，技術領域涉及：H04B10/70；該發明授權一種時間相位量子密鑰分發系統及其發射端結構是由丁禹陽;劉午設計研發完成，并于2022-01-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種時間相位量子密鑰分發系統及其發射端結構在說明書摘要公布了：本發明提供了一種時間相位量子密鑰分發系統及其發射端結構，發射端結構包括：直調激光器模塊，用于輸出連續光脈沖；至少一個電吸收調制器模塊，用于對所述直調激光器模塊輸出的光脈沖的光強進行調制；光衰減器，用于對所述電吸收調制器模塊輸出的光脈沖的光強進行衰減處理；其中，所述直調激光器模塊和至少一個所述電吸收調制器模塊集成設置在同一芯片上。也就是說在本申請中將原本基于各個獨立光器件的量子密鑰分發系統集成設置在一個體積較小的芯片中，進而大大降低量子密鑰分發系統的成本，且極大程度的降低量子密鑰分發系統的體積。

本發明授權一種時間相位量子密鑰分發系統及其發射端結構在權利要求書中公布了：1.一種時間相位量子密鑰分發系統的發射端結構，其特征在于，所述發射端結構包括：直調激光器模塊，用于輸出連續光脈沖；至少一個電吸收調制器模塊，用于對所述直調激光器模塊輸出的光脈沖的光強進行調制；光衰減器，用于對所述電吸收調制器模塊輸出的光脈沖的光強進行衰減處理；其中，所述直調激光器模塊和至少一個所述電吸收調制器模塊集成設置在同一芯片上；所述芯片為InP基芯片，所述芯片包括：基底；設置在所述基底一側的N型摻雜層；設置在所述N型摻雜層背離所述基底一側的多量子阱層；設置在所述多量子阱層背離所述基底一側的P型摻雜層；設置在所述P型摻雜層背離所述基底一側的多個獨立的金屬電極，相鄰兩個金屬電極之間的P型摻雜層上設置有隔離凹槽；所述電吸收調制器模塊的數量為兩個；第一個所述電吸收調制器模塊用于對所述直調激光器模塊輸出的光脈沖的光強進行第一次調制；第二個所述電吸收調制器模塊用于對第一個所述電吸收調制器模塊輸出的光脈沖的光強進行第二次調制；所述時間相位量子密鑰分發系統的發射端結構運行三態時間相位協議，并進行雙強度誘騙態調制，或運行三態時間相位協議，并進行三強度誘騙態調制；具體的：第一個所述電吸收調制器模塊運行所述三態時間相位協議，通過變化調制電壓對入射的光脈沖進行隨機調制，從而隨機產生Z基中的態|0＞和態|1＞，以及X基中的態第二個所述電吸收調制器模塊進行所述雙強度誘騙態調制，通過隨機選擇兩種不同大小的調制電壓，對入射的量子態分別進行強度調制，以一定比例pi隨機將輸出量子光強進行調制，i＝1,2，將某一個狀態的輸出光強調制到μ1以及μ2中的任意一個光強度輸出；或者，第二個所述電吸收調制器模塊進行所述三強度誘騙態調制，通過隨機選擇三種不同大小的調制電壓，對入射的量子態分別進行強度調制，以一定比例pi隨機將輸出量子光強進行調制，i＝1,2,3，將某一個狀態的輸出光強調制成μ1、μ2以及μ3中的任意一個光強度輸出，其中μ3＝0。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥硅臻芯片技術有限公司，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經濟技術開發區宿松路以東、觀海路以北智能裝備科技園E棟10層東02室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。