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龍圖騰網(wǎng)恭喜深圳市國微電子有限公司申請的專利一種耐高壓防護(hù)器件以及制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114899218B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210466661.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)一種耐高壓防護(hù)器件以及制作方法是由杜明;裴國旭;李會羽;陳錫均設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-04-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種耐高壓防護(hù)器件以及制作方法在說明書摘要公布了：本申請適用于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，提供了耐高壓防護(hù)器件，包括襯底、掩埋層以及外延層，襯底、掩埋層以及外延層依次層疊設(shè)置；基于外延層，由外延層邊緣任一點指向中心點方向依次設(shè)置有第一阱以及高壓阱；并在第一阱上設(shè)置有第一有源區(qū)；高壓阱具有三個封閉的環(huán)形空置區(qū)域，在三個環(huán)形空置區(qū)域分別設(shè)置有第二阱、第三阱以及第四阱；并在第二阱、第三阱以及第四阱上均設(shè)置第二有源區(qū)、第三有源區(qū)以及第四有源區(qū)；在高壓阱上設(shè)置有第五阱，在第五阱設(shè)置有第五有源區(qū)定，從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中SCR器件無法應(yīng)用于超高耐壓場合的技術(shù)問題。

本發(fā)明授權(quán)一種耐高壓防護(hù)器件以及制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種耐高壓防護(hù)器件，其特征在于，包括：襯底；掩埋層；外延層，所述襯底、所述掩埋層以及所述外延層依次層疊設(shè)置；基于所述外延層，由外延層邊緣任一點指向中心點方向依次設(shè)置有第一阱以及高壓阱；并在所述第一阱上設(shè)置有第一有源區(qū)；所述高壓阱具有三個封閉的環(huán)形結(jié)構(gòu)，所述環(huán)形結(jié)構(gòu)內(nèi)部為空置區(qū)域，在三個所述空置區(qū)域分別設(shè)置有第二阱、第三阱以及第四阱；并在所述第二阱、所述第三阱以及所述第四阱上均設(shè)置第二有源區(qū)、第三有源區(qū)以及第四有源區(qū)；在所述高壓阱上設(shè)置有第五阱，在所述第五阱設(shè)置有第五有源區(qū)；所述襯底、所述外延層、所述第一阱、所述第二阱、所述第三阱、所述第四阱、第一有源區(qū)以及所述第三有源區(qū)的摻雜類型為第一類型；所述掩埋層、所述第五阱、所述第二有源區(qū)、所述第四有源區(qū)以及所述第五有源區(qū)的摻雜類型為第二類型；所述第一類型與所述第二類型不同。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人深圳市國微電子有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市南山區(qū)高新南一道015號國微研發(fā)大廈六層A；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。