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龍圖騰網(wǎng)恭喜華南理工大學申請的專利一種高磁性能高電阻率的釹鐵硼轉(zhuǎn)子磁體及其制備與應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115472369B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211046800.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01F1/057；該發(fā)明授權(quán)一種高磁性能高電阻率的釹鐵硼轉(zhuǎn)子磁體及其制備與應(yīng)用是由劉仲武;何家毅;胡錦文;魏祖春;余紅雅;鐘喜春;趙利忠設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-08-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種高磁性能高電阻率的釹鐵硼轉(zhuǎn)子磁體及其制備與應(yīng)用在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種高磁性能高電阻率的釹鐵硼轉(zhuǎn)子磁體及其制備與應(yīng)用。本發(fā)明將輕稀土低熔點合金粉末與非稀土氧化物粉末按照質(zhì)量比1：1～4混合后，再與有機粘結(jié)劑混合得到混合擴散劑；通過將混合擴散劑涂敷于釹鐵硼磁體表面并進行擴散熱處理，獲得所述的轉(zhuǎn)子磁體。本發(fā)明方法有效提高矯頑力和電阻率，且對磁能積的負面影響小；擴散劑中不含重稀土元素Dy和Tb，不僅大幅度降低材料成本，提高產(chǎn)品的性價比，還有利于促進稀土資源的平衡利用。

本發(fā)明授權(quán)一種高磁性能高電阻率的釹鐵硼轉(zhuǎn)子磁體及其制備與應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種高磁性能高電阻率的釹鐵硼轉(zhuǎn)子磁體的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：（1）將輕稀土低熔點合金粉末與非稀土氧化物粉末混合均勻，得到混合粉末，再與有機粘結(jié)劑混合，得到合金混合晶界擴散劑；（2）將混合晶界擴散劑均勻涂覆于釹鐵硼磁體表面后，置于真空或無氧條件下進行擴散熱處理，得到釹鐵硼轉(zhuǎn)子磁體；步驟（1）所述輕稀土低熔點合金粉末與非稀土氧化物粉末的質(zhì)量比為1：（1～4）；步驟（2）中的涂覆量以混合晶界擴散劑中混合粉末占釹鐵硼磁體質(zhì)量的0.5～3.0%為準；步驟（1）所述輕稀土低熔點合金粉末為LRE-M粉末中的至少一種，其中LRE為Pr、Nd、La和Ce中的至少一種，M為Al、Cu、Ni、Co、Mg和Zn中的至少一種；步驟（1）所述非稀土氧化物粉末為ZnO、MgO、Al2O3、Cr2O3和Zr2O3中的至少一種。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人華南理工大學，其通訊地址為：510640 廣東省廣州市天河區(qū)五山路381號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。