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龍圖騰網(wǎng)恭喜蘇州磁億電子科技有限公司申請的專利一種晶界擴(kuò)散源及高性能高豐度稀土磁體的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN117038313B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202311095021.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01F41/02；該發(fā)明授權(quán)一種晶界擴(kuò)散源及高性能高豐度稀土磁體的制備方法是由代飛龍;牛鋒鋼設(shè)計研發(fā)完成，并于2023-08-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種晶界擴(kuò)散源及高性能高豐度稀土磁體的制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種晶界擴(kuò)散源及高性能高豐度稀土磁體的制備方法，該晶界擴(kuò)散源，包括HRExLa1?x68M1?yGay32合金粉末，HRE選自Dy或Tb的一種或多種，M選自Fe、Co、Al、Ca、Cu、Ni、Ge、Zr、Ti、Nb、Mo、Hf、Ta或W中的一種或多種；其中，0≤x≤1，0≤y≤1，xHRE+xLa＝68at.％，xM+xGa＝32at.％，本發(fā)明的晶界擴(kuò)散源，在晶界中La原子部分取代Ce可以減少甚至抑制CeFe2相的生成，有助于TbDy元素的擴(kuò)散，La元素會形成Ia3_?RE2O3晶界相，該相的潤濕性易于形成光滑完整的晶間相有利于減弱近鄰主相晶粒之間的交換耦合作用從而提高磁體的矯頑力；Ga元素擴(kuò)散后生成的RE6Fe,M14相能降低晶界相中的α?Fe含量，從而提高磁體的矯頑力，并且RE6Fe,M14相具有的反鐵磁特性能提高磁體的矯頑力；La元素的價格遠(yuǎn)低于Tb元素的價格，成本低廉。

本發(fā)明授權(quán)一種晶界擴(kuò)散源及高性能高豐度稀土磁體的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種晶界擴(kuò)散源，其特征在于：包括HRExLa1-x68M1-yGay32合金粉末，所述HRE是選自Dy或Tb的一種或多種，所述M是選自Fe、Co、Al、Ca、Cu、Ni、Ge、Zr、Ti、Nb、Mo、Hf、Ta或W中的一種或多種；其中，0＜x＜1，0＜y＜1，xHRE+xLa=68at.%，xM+xGa=32at.%。

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