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龍圖騰網(wǎng)恭喜蘇州立琻半導(dǎo)體有限公司;中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所申請(qǐng)的專利紫外光電子器件的外延結(jié)構(gòu)及光電子器件獲國(guó)家實(shí)用新型專利權(quán)，本實(shí)用新型專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN222840029U 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的實(shí)用新型授權(quán)公告中獲悉：該實(shí)用新型的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202420106862.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/816；該實(shí)用新型紫外光電子器件的外延結(jié)構(gòu)及光電子器件是由孫秀建;黃應(yīng)南;孫錢;劉建勛;馮美鑫;楊輝;許奇明;沈雁偉;魏永強(qiáng)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-01-16向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本紫外光電子器件的外延結(jié)構(gòu)及光電子器件在說(shuō)明書摘要公布了：本實(shí)用新型公開了一種紫外光電子器件的外延結(jié)構(gòu)及光電子器件。該層疊結(jié)構(gòu)包括層疊設(shè)置的n型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層、功能層和p型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層，p型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層包括沿選定方向?qū)盈B設(shè)置的電子阻擋層、空穴運(yùn)輸層和接觸層；p型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層還包括黑線層，黑線層設(shè)置在空穴運(yùn)輸層和接觸層之間，電子阻擋層、空穴運(yùn)輸層和黑線層均是由含Al的III族氮化物半導(dǎo)體材料形成的，接觸層是由含Al或不含Al的III族氮化物半導(dǎo)體材料形成的，并且，黑線層的帶隙高于接觸層、空穴運(yùn)輸層中任一者的帶隙。本實(shí)用新型提供的一種層疊結(jié)構(gòu)可以有效地阻擋低溫的接觸層的雜質(zhì)和空位等缺陷向功能層擴(kuò)散，有效地改善器件可靠性和工作壽命。

本實(shí)用新型紫外光電子器件的外延結(jié)構(gòu)及光電子器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種紫外光電子器件的外延結(jié)構(gòu)，包括沿選定方向依次層疊設(shè)置的n型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層、功能層和p型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層，所述p型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層包括沿所述選定方向?qū)盈B設(shè)置的電子阻擋層、空穴運(yùn)輸層和接觸層；其特征在于：所述p型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層還包括黑線層，所述黑線層設(shè)置在所述空穴運(yùn)輸層和所述接觸層之間，所述電子阻擋層、所述空穴運(yùn)輸層和所述黑線層均是由含Al的III族氮化物半導(dǎo)體材料形成的，所述接觸層是由含Al和或不含Al的III族氮化物半導(dǎo)體材料形成的，并且，所述黑線層的帶隙高于所述接觸層的帶隙。

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