恭喜首爾半導體株式會社竹谷元伸獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)恭喜首爾半導體株式會社申請的專利發(fā)光裝置的制造方法及發(fā)光裝置獲國家發(fā)明授權專利權,本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予,授權公告號為:CN111048544B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-05-02發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉:該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為:201911308820.6,技術領域涉及:H10H29/49;該發(fā)明授權發(fā)光裝置的制造方法及發(fā)光裝置是由竹谷元伸;孫成壽;李宗益;林栽熙;蔡鐘炫;洪承植設計研發(fā)完成,并于2018-12-05向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。
本發(fā)光裝置的制造方法及發(fā)光裝置在說明書摘要公布了:本公開涉及一種發(fā)光裝置的制造方法及發(fā)光裝置。根據(jù)本公開的一實施例的發(fā)光裝置的制造方法包括如下步驟:在第一臨時基板上形成氮化鎵系半導體層;在所述半導體層上形成電極部而制造發(fā)光元件;在所述發(fā)光元件上形成保護膜;向所述第一臨時基板和所述半導體層之間的界面照射激光;去除所述保護膜;以及利用移送裝置而向基板上移送所述發(fā)光元件。
本發(fā)明授權發(fā)光裝置的制造方法及發(fā)光裝置在權利要求書中公布了:1.一種顯示裝置,包括:面板基板,包括像素區(qū)域;以及多個發(fā)光元件,布置在所述面板基板的像素區(qū)域上;以及凸塊,布置在所述面板基板的像素區(qū)域上,并電連接于所述多個發(fā)光元件,其中,所述多個發(fā)光元件中的每個包括:發(fā)光結構體,包括第一導電型半導體層、第二導電型半導體層以及夾設于所述第一導電型半導體層和第二導電型半導體層之間的活性層;以及第一電極焊盤和第二電極焊盤,布置在所述發(fā)光結構體上,其中,所述凸塊電連接于所述發(fā)光元件的第一電極焊盤和第二電極焊盤,其中,從所述面板基板的上表面到所述活性層的距離為5微米至10微米。
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