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龍圖騰網(wǎng)恭喜意法半導(dǎo)體(魯塞)公司申請的專利包括具有反熔絲器件的至少一個(gè)存儲器單元的集成電路獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN110875322B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201910813356.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B20/25；該發(fā)明授權(quán)包括具有反熔絲器件的至少一個(gè)存儲器單元的集成電路是由P·弗納拉;F·馬里內(nèi)特設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-08-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本包括具有反熔絲器件的至少一個(gè)存儲器單元的集成電路在說明書摘要公布了：一種集成電路包括存儲器單元，該存儲器單元包含反熔絲器件。該反熔絲器件包括狀態(tài)晶體管，其具有控制柵級和被配置為浮置的第二柵極。選擇性地?cái)嚅_控制柵級和第二柵極之間的介電層，以便在反熔絲器件上賦予擊穿狀態(tài)，其中第二柵極電耦合至控制柵級，用于存儲第一邏輯狀態(tài)。否則，反熔絲器件處于非被擊穿狀態(tài)，用于存儲第二邏輯狀態(tài)。

本發(fā)明授權(quán)包括具有反熔絲器件的至少一個(gè)存儲器單元的集成電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種集成電路，包括至少一個(gè)存儲器單元，其中所述至少一個(gè)存儲器單元包括：反熔絲器件，包括具有控制柵極和第二柵極的狀態(tài)晶體管，其中所述第二柵極被配置為相對所述控制柵極處于浮置，以便在所述反熔絲器件上賦予非擊穿狀態(tài)，或者其中所述第二柵極被配置為電耦合至所述控制柵極，以便在所述反熔絲器件上賦予擊穿狀態(tài)；以及所述集成電路進(jìn)一步包括存儲器模塊，所述存儲器模塊包括根據(jù)矩陣架構(gòu)互連的多個(gè)所述存儲器單元，其中每個(gè)存儲器單元包括存取晶體管，所述存取晶體管被耦合在所述狀態(tài)晶體管和由所有所述存儲器單元共用的讀取線之間。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人意法半導(dǎo)體(魯塞)公司，其通訊地址為：法國魯塞；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。