恭喜意法半導體(魯塞)公司P·弗納拉獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜意法半導體(魯塞)公司申請的專利包括具有反熔絲器件的至少一個存儲器單元的集成電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110875322B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910813356.X，技術領域涉及：H10B20/25；該發明授權包括具有反熔絲器件的至少一個存儲器單元的集成電路是由P·弗納拉;F·馬里內特設計研發完成，并于2019-08-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本包括具有反熔絲器件的至少一個存儲器單元的集成電路在說明書摘要公布了：一種集成電路包括存儲器單元，該存儲器單元包含反熔絲器件。該反熔絲器件包括狀態晶體管，其具有控制柵級和被配置為浮置的第二柵極。選擇性地斷開控制柵級和第二柵極之間的介電層，以便在反熔絲器件上賦予擊穿狀態，其中第二柵極電耦合至控制柵級，用于存儲第一邏輯狀態。否則，反熔絲器件處于非被擊穿狀態，用于存儲第二邏輯狀態。
本發明授權包括具有反熔絲器件的至少一個存儲器單元的集成電路在權利要求書中公布了：1.一種集成電路，包括至少一個存儲器單元，其中所述至少一個存儲器單元包括：反熔絲器件，包括具有控制柵極和第二柵極的狀態晶體管，其中所述第二柵極被配置為相對所述控制柵極處于浮置，以便在所述反熔絲器件上賦予非擊穿狀態，或者其中所述第二柵極被配置為電耦合至所述控制柵極，以便在所述反熔絲器件上賦予擊穿狀態；以及所述集成電路進一步包括存儲器模塊，所述存儲器模塊包括根據矩陣架構互連的多個所述存儲器單元，其中每個存儲器單元包括存取晶體管，所述存取晶體管被耦合在所述狀態晶體管和由所有所述存儲器單元共用的讀取線之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人意法半導體(魯塞)公司，其通訊地址為：法國魯塞；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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