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龍圖騰網恭喜中國電子工程設計院股份有限公司申請的專利一種超純水的二階凈化設備及凈化工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119219281B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411759176.5，技術領域涉及：C02F9/00；該發明授權一種超純水的二階凈化設備及凈化工藝是由程星華;楊光明;薛佳卉;溫鑫;鄭偉;劉澈;張崢;周鋒設計研發完成，并于2024-12-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種超純水的二階凈化設備及凈化工藝在說明書摘要公布了：一種超純水的二階凈化設備及凈化工藝，所述設備包括依次連接的一階系統和二階系統；一階系統將一次純水處理得到二次純水，包括除鹽單元、第一混合光解吸收器和脫氣單元；二階系統將二次純水處理得到超純水，包括膜吸收器、第二混合光解吸收器和脫氣超濾單元；第一混合光解吸收器具有第一光解區及其下游的第一處理區，第一光解區的輻射劑量在300?800mJcm2；膜吸收器包括溶氫膜和供氫管線，為下游第二混合光解吸收器提供充氫水；第二混合光解吸收器具有第二光解區及其下游的第二處理區，第二光解區的輻射劑量在200?900mJcm2。本發明有效實現了對超純水各項指標的綜合控制，為納米半導體制造工藝與加工品質提供保障。

本發明授權一種超純水的二階凈化設備及凈化工藝在權利要求書中公布了：1.一種超純水的二階凈化設備，其特征在于，包括依次連接的一階系統和二階系統；一階系統將一次純水處理得到二次純水，包括除鹽單元、第一混合光解吸收器和脫氣單元；二階系統將所述二次純水處理得到超純水，包括膜吸收器、第二混合光解吸收器和脫氣超濾單元；第一混合光解吸收器具有第一光解區及其下游的第一處理區，以水流方向，第一處理區依次包括正電吸附層、絡合反應層和離子拋光層，正電吸附層、絡合反應層和離子拋光層的厚度比為（1-4）：（8-10）：（1-4）；第一光解區的輻射劑量在300-800mJcm2；膜吸收器包括溶氫膜和供氫管線，用于向二次純水中充溶氫氣，為下游第二混合光解吸收器提供溶解氫濃度在0.05-0.1mgl的充氫水；第二混合光解吸收器具有第二光解區及其下游的第二處理區，以水流方向，第二處理區依次包括催化反應層和離子拋光層，催化反應層和離子拋光層的厚度比為1：（2.5-20）；第二光解區的輻射劑量在200-900mJcm2；第一處理區中，正電吸附層包括正電荷吸附劑，所述正電荷吸附劑為帶季銨基功能基團的正電荷吸附樹脂或混有帶季銨基功能基團的正電荷吸附樹脂的混合樹脂；絡合反應層包括硼吸收劑；離子拋光層包括分別帶有堿性基團和酸性基團的混合型離子交換劑；第二處理區中，催化反應層包括負載型金屬納米粒子催化劑；離子拋光層包括分別帶有堿性基團和酸性基團的混合型離子交換劑;所述二階凈化設備向超純水供水管網提供的超純水水質達到：痕量金屬＜0.05ngL、TOC＜0.5μgL、DO＜0.3μgL、B＜0.5ngL、H2O2＜1μgL、大于0.05μm的微粒子濃度＜0.1pcsmL。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國電子工程設計院股份有限公司，其通訊地址為：100142 北京市海淀區西四環北路160號3層二區317；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。