恭喜湖南匯思光電科技有限公司楊駿捷獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜湖南匯思光電科技有限公司申請的專利一種雪崩光電二極管及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119325292B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411875080.5，技術領域涉及：H10F30/225；該發明授權一種雪崩光電二極管及制備方法是由楊駿捷;付慧清;曾冬妮;潘淑潔設計研發完成，并于2024-12-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種雪崩光電二極管及制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種雪崩光電二極管及制備方法，包括襯底以及自下而上依次生長在襯底上的p型接觸層、重p型摻雜電子阻擋層、漸變摻雜多量子阱吸收層、電場調控層層、倍增層和n型接觸層，還包括p接觸和n接觸，所述p接觸設于所述p型接觸層上，所述n接觸設于所述n型接觸層上，通過使用漸變摻雜多量子阱結構作為吸收層來分離光生電子和光生空穴，可減少噪聲，提高雪崩光電二極管的靈敏度和速率。
本發明授權一種雪崩光電二極管及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種雪崩光電二極管，其特征在于，包括襯底（9）、自下而上依次生長在襯底（9）上的p型接觸層（1）、重p型摻雜電子阻擋層（2）、漸變摻雜多量子阱吸收層（3）、電場調控層（4）、倍增層（5）和n型接觸層（6），還包括p接觸（7）和n接觸（8），所述p接觸（7）蒸鍍在所述p型接觸層（1）上且位于重p型摻雜電子阻擋層（2）的外側，所述n接觸（8）蒸鍍在所述n型接觸層（6）上；所述漸變摻雜多量子阱吸收層（3）包括交替循環生長的多層漸變摻雜量子阱層和無摻雜勢壘層，每層所述漸變摻雜量子阱層由具有與光的目標波長相對應的帶隙能量的半導體構成；或，所述漸變摻雜多量子阱吸收層（3）包括交替循環生長的多層無摻雜量子阱層和漸變摻雜勢壘層，每層所述無摻雜量子阱層由具有與光的目標波長相對應的帶隙能量的半導體構成。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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