恭喜晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司黃艷麗獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利鎳硅化物的形成方法及半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119403197B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510001030.2，技術領域涉及：H10D64/01；該發明授權鎳硅化物的形成方法及半導體器件是由黃艷麗;陳濤設計研發完成，并于2025-01-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本鎳硅化物的形成方法及半導體器件在說明書摘要公布了：本申請公開了一種鎳硅化物的形成方法及半導體器件。其中，所述鎳硅化物的形成方法包括：提供一形成有柵極、源極以及漏極的襯底；以及在所述襯底的柵極、源極以及漏極的表面形成具有夾層結構的鎳硅化物，其中所述鎳硅化物的夾層結構包括鎳硅薄膜和位于所述鎳硅薄膜的頂部和底部的合金層。通過本申請的方案，改變了傳統的鎳硅化物的結構，以在襯底的柵極、源極以及漏極上形成具有鎳硅薄膜和合金層的鎳硅化物，使得鎳硅化物可以通過位于鎳硅薄膜頂部和底部的合金層來阻擋鎳硅薄膜中的鎳在高溫下向外擴散，從而提升鎳硅化物的熱穩定性。
本發明授權鎳硅化物的形成方法及半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種鎳硅化物的形成方法，其特征在于，包括：提供一形成有柵極、源極以及漏極的襯底；以及在所述襯底的柵極、源極以及漏極的表面形成具有夾層結構的鎳硅化物，其中所述鎳硅化物的夾層結構包括鎳硅薄膜和位于所述鎳硅薄膜的頂部和底部的合金層，且所述合金層中金屬的晶格常數小于所述鎳硅薄膜中鎳的晶格常數；其中，所述夾層結構中的合金層用于避免所述鎳硅薄膜中的鎳在高溫下向外擴散，所述合金層包括鉿鉭合金層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區北京經濟技術開發區科創十三街29號院一區2號樓13層1302-C54；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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