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龍圖騰網(wǎng)恭喜蘭州大學(xué)申請的專利鈷納米互連線及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119581414B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510122964.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權(quán)鈷納米互連線及其制備方法是由秦勇;趙卿;溫娟;徐奇;劉書海;趙繼領(lǐng)設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-01-26向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本鈷納米互連線及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┝艘环N鈷納米互連線及其制備方法，屬于集成電路領(lǐng)域。本申請通過在雙通PC膜一側(cè)磁控濺射沉積Au層，在Au層上電沉積Cu層，在雙通PC膜的孔道內(nèi)電沉積鈷納米互連線，將Au層從雙通PC膜上剝離，溶解雙通PC膜并離心分離，得到鈷納米互連線。本申請通過磁控濺射和電沉積技術(shù)相結(jié)合，可實現(xiàn)鈷納米互連線的可控生長，與目前芯片互連工藝具有較高的兼容性；通過控制電沉積工藝參數(shù)，可以對鈷納米互連線進(jìn)行織構(gòu)和長徑比的調(diào)控。該方法步驟簡單，易于實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)，降低生產(chǎn)成本，制備出的鈷納米互連線在芯片互連等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。

本發(fā)明授權(quán)鈷納米互連線及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種鈷納米互連線的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：S1.在雙通PC膜一側(cè)磁控濺射沉積Au層；S2.在所述Au層上電沉積Cu層；所述電沉積Cu層的方法為：將Cu電沉積液注入電沉積槽一側(cè)，以Cu棒為陽極，飽和甘汞電極為參比電極，步驟S1得到的所述Au層為沉積陰極，進(jìn)行電沉積Cu層；S3.在所述雙通PC膜的孔道內(nèi)電沉積鈷納米互連線，所述鈷納米互連線與所述Au層連接；所述電沉積鈷納米互連線的方法為：將鈷電沉積液注入電沉積槽一側(cè)，調(diào)節(jié)所述鈷電沉積液的pH值至預(yù)定范圍，以鈷棒為陽極，飽和甘汞電極為參比電極，步驟S1得到的所述Au層為沉積陰極，進(jìn)行電沉積鈷納米互連線；所述鈷電沉積液的pH值為2~5.5；當(dāng)pH=2時，所述鈷納米互連線的織構(gòu)是[110]；當(dāng)2pH3.5時，所述鈷納米互連線的織構(gòu)是[100]和[110]；當(dāng)3.5≤pH≤5.5時，所述鈷納米互連線的織構(gòu)是[100]；S4.將所述Au層從所述雙通PC膜上剝離，使所述鈷納米互連線與所述Au層分離；S5.將剝離Au層后的雙通PC膜置于有機溶劑中溶解，其后進(jìn)行離心分離，得到鈷納米互連線。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人蘭州大學(xué)，其通訊地址為：730099 甘肅省蘭州市城關(guān)區(qū)天水南路222號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。