恭喜橫店集團東磁股份有限公司吳成坤獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜橫店集團東磁股份有限公司申請的專利一種拋光無高度差隔離區TBC電池的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119604074B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510138252.9，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權一種拋光無高度差隔離區TBC電池的制備方法是由吳成坤;任勇;陳德爽設計研發完成，并于2025-02-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種拋光無高度差隔離區TBC電池的制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及太陽能電池領域，公開了一種拋光無高度差隔離區TBC電池的制備方法。本發明借助紫外激光氧化工藝以及通過巧妙合理的步驟設計，可使硅片基底在堿清洗或堿洗制絨過程中免受堿腐蝕，從而確保隔離區表面的p區、隔離區和n區高度齊平且為拋光面結構，有利于提升電池性能，提高產品良率。
本發明授權一種拋光無高度差隔離區TBC電池的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種拋光無高度差隔離區TBC電池的制備方法，其特征在于包括：S1、硅片雙面拋光；S2、紫外激光氧化硅片背面預設n區和隔離區形成氧化層；S3、背面一次沉積隧穿SiOx層、i-poly-Si層；S4、硼擴散，使i-poly-Si層的內層、表層分別轉為硼擴散層和BSG層；S5、激光去除預設n區和隔離區的BSG層；S6、堿清洗去除預設n區和隔離區的硼擴散層、隧穿SiOx層；酸洗去除氧化層；S7、紫外激光氧化預設隔離區硅表面，形成氧化層；S8、背面二次沉積隧穿SiOx層、i-poly-Si層；S9、磷擴散，使i-poly-Si層的內層、表層分別轉為磷擴散層和PSG層；S10、激光去除預設p區和隔離區的PSG層；S11、去除硅片正面和側面的繞鍍層；S12、堿洗制絨去除預設p區和隔離區的磷擴散層、隧穿SiOx層，并在硅片正面形成金字塔絨面，酸洗去除殘留PSG層、BSG層和氧化層；S13、雙面沉積鈍化減反膜；S14、絲網印刷、燒結、光注入。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人橫店集團東磁股份有限公司，其通訊地址為：322100 浙江省金華市東陽市橫店鎮華夏大道233號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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