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龍圖騰網獲悉湖南融創微電子股份有限公司申請的專利抗輻照標準單元庫版圖設計方法、裝置和設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119692291B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510196334.9，技術領域涉及：G06F30/392；該發明授權抗輻照標準單元庫版圖設計方法、裝置和設備是由賴善坤;劉祥遠;劉曄;祁勇;房盼攀;劉冰媚設計研發完成，并于2025-02-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本抗輻照標準單元庫版圖設計方法、裝置和設備在說明書摘要公布了：為了克服現有技術中存在的版圖設計耗時長、周期長、效率低以及成本高的問題，本發明提出一種抗輻照標準單元庫版圖設計方法、裝置和設備。所述設計方法通過獲取原始工藝和目標工藝商用庫的設計規則文件，生成版圖工藝移植規則，結合目標工藝抗輻照設計規則進一步生成抗輻照版圖工藝移植規則，按照所述抗輻照版圖工藝移植規則對原始工藝抗輻照標準單元庫版圖進行移植操作，生成目標工藝抗輻照標準單元庫版圖。該設計方法保證了抗輻照標準單元庫版圖設計周期短，效率高，成本低，配置靈活的特點。基于本發明設計的抗輻照標準單元庫版圖，適用于宇航級集成電路的設計，大大減少了工藝制造成本。

本發明授權抗輻照標準單元庫版圖設計方法、裝置和設備在權利要求書中公布了：1.一種抗輻照標準單元庫版圖設計方法，其特征在于，所述方法基于工藝移植的方式進行標準單元版圖設計，包括如下步驟：步驟S110：獲取原始工藝商用庫的第一設計規則文件和目標工藝商用庫的第二設計規則文件，所述第一設計規則文件與第二設計規則文件都包含多項工藝信息，將所述工藝信息作為計算機處理的輸入數據；所述工藝信息包括：原始工藝程序中的第一圖層信息文件與目標工藝程序中的第二圖層信息文件所定義的圖層名稱、GDS號與數據類型；所述圖層名稱、GDS號與數據類型這三類工藝信息中的每一類在第一圖層信息文件與第二圖層信息文件中都不完全相同；所述原始工藝商用庫和目標工藝商用庫中，各自的標準單元版圖采用統一的設計高度，所述設計高度是相應標準單元版圖中金屬布線軌道寬度的整數倍；標準單元版圖結構都遵循最小寬度、最小高度與最小面積原則；所述標準單元版圖結構的中線位置；所述標準單元版圖結構中NMOS與PMOS區域劃分；工藝節點的柵長與源漏區域的長度；邊界圖層的位置，通孔的大小，通孔到有源區邊界的距離；步驟S120：對第一設計規則文件和第二設計規則文件中所述工藝信息進行異同性比較；利用所述異同性比較的數據結果，采用高級編程語言設計對目標工藝商用庫的版圖進行移植操作的商用庫版圖工藝移植規則；所述商用庫版圖工藝移植規則結合目標工藝抗輻照設計規則，生成抗輻照版圖工藝移植規則；步驟S130：將原始工藝抗輻照標準單元庫版圖按所述步驟S120得到的所述抗輻照版圖工藝移植規則進行工藝移植操作，生成目標工藝抗輻照標準單元庫版圖，并將其記錄在一個文件“all.gds”中；步驟S140：驗證所述目標工藝抗輻照標準單元庫版圖的抗輻照性能是否滿足目標工藝設計要求，若驗證不通過，則進行抗輻照加固的優化，直至滿足設計要求為止；步驟S150：輸出滿足目標工藝設計要求的目標工藝抗輻照標準單元庫版圖的設計數據。

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