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龍圖騰網(wǎng)恭喜通用電氣公司申請的專利制作寬帶隙半導(dǎo)體器件時高能量植入期間掩蔽的系統(tǒng)和方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113412536B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201980077888.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/03；該發(fā)明授權(quán)制作寬帶隙半導(dǎo)體器件時高能量植入期間掩蔽的系統(tǒng)和方法是由威廉·格雷格·霍金斯;列扎·甘迪;克里斯托弗·鮑爾;魯少昕設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-09-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本制作寬帶隙半導(dǎo)體器件時高能量植入期間掩蔽的系統(tǒng)和方法在說明書摘要公布了：本文所公開的主題涉及寬帶隙半導(dǎo)體功率器件，并且更具體地涉及用于形成如電荷平衡CB碳化硅SiC功率器件等SiC功率器件的高能量植入掩模。一種中間半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)126包括：具有第一導(dǎo)電類型的碳化硅SiC襯底層36；以及具有所述第一導(dǎo)電類型的SiC外延epi層34，所述SiCepi層布置在所述SiC襯底層36上。所述中間半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)126還包括硅高能量植入掩模SiHEIM40，所述SiHEIM直接布置在所述SiCepi層34的第一部分上并且具有介于5微米μm與20μm之間的厚度。所述SiHEIM40被配置成在植入能量大于500千電子伏keV的高能量植入過程期間阻斷對所述SiCepi層34的所述第一部分的植入。

本發(fā)明授權(quán)制作寬帶隙半導(dǎo)體器件時高能量植入期間掩蔽的系統(tǒng)和方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種中間半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括：具有第一導(dǎo)電類型的碳化硅襯底層；具有所述第一導(dǎo)電類型的碳化硅外延層，所述碳化硅外延層布置在所述碳化硅襯底層上；以及硅高能量植入掩模，所述硅高能量植入掩模直接布置在所述碳化硅外延層的第一部分上并且具有介于5μm與20μm之間的厚度，其中，所述硅高能量植入掩模被配置成在植入能量大于500keV的、第二導(dǎo)電類型的高能量植入過程期間阻斷對所述碳化硅外延層的所述第一部分的植入，以及其中，所述硅高能量植入掩模是多晶硅層，其具有介于1×1016cm-3與1×1020cm-3之間的所述第一導(dǎo)電類型的外延摻雜濃度并且是導(dǎo)電的，使得所述硅高能量植入掩模在整個所述高能量植入過程期間阻斷所述中間半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的帶電荷。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人通用電氣公司，其通訊地址為：美國紐約州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。